HYM321000GS-50_集成电路资料查询网

半导体 组 6
hym 321000s/gs-50/-60
1M
×
32-位
直流 特性
(内容’d)
1)
电容
T
一个
= 0 至 70 °c;
V
CC
= 5 v
±
10 %;
f
= 1 mhz
参数 标识 限制 值 单位 测试
情况
最小值 最大值
平均
V
CC
供应 电流 在 快
页 模式:
hym 321000s/gs-50
hym 321000s/gs-60
(ras
=
V
il,
CAS, 地址 cycling
t
PC
=
t
PC
最小值.)
I
CC4
–
–
–
110
100
毫安
毫安
2), 3),4)
备用物品
V
CC
供应 电流
(ras
= cas=
V
CC
– 0.2 v)
I
CC5
–2mA–
平均
V
CC
供应 电流 在
CAS
-在之前-rasrefresh 模式:
hym 321000s/gs-50
hym 321000s/gs-60
(ras
, cascycling
,  t
RC
=
t
RC
最小值.)
I
CC6
–
–
–
400
360
毫安
毫安
2),4)
参数 标识 限制 值 单位
最小值 最大值
输入 电容 (a0 至 a9)
C
I1
–25pF
输入 电容 (ras
0, ras2)
C
I2
–20pF
输入 电容 (cas0
-cas3)
C
I3
–20pF
输入 电容 (我们
)
C
I4
–25pF
i/o 电容 (dq0-dq31)
C
IO1
–15pF

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半导体组 6 hym 321000s/gs-50/-60 1M × 32-位直流特性 (内容’d) 1) 电容 T 一个 = 0 至 70 °c; V CC = 5 v ± 10 %; f = 1 mhz 参数标识限制值单位测试情况最小值最大值平均 V CC 供应电流在快页模式: hym 321000s/gs-50 hym 321000s/gs-60 (ras = V il, CAS, 地址 cycling t PC = t PC 最小值.) I CC4 – – – 110 100 毫安毫安 2), 3),4) 备用物品 V CC 供应电流 (ras = cas= V CC – 0.2 v) I CC5 –2mA– 平均 V CC 供应电流在 CAS -在之前-rasrefresh 模式: hym 321000s/gs-50 hym 321000s/gs-60 (ras , cascycling , t RC = t RC 最小值.) I CC6 – – – 400 360 毫安毫安 2),4) 参数标识限制值单位最小值最大值输入电容 (a0 至 a9) C I1 –25pF 输入电容 (ras 0, ras2) C I2 –20pF 输入电容 (cas0 -cas3) C I3 –20pF 输入电容 (我们 ) C I4 –25pF i/o 电容 (dq0-dq31) C IO1 –15pF

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