HYM321000GS-50_集成电路资料查询网

半导体 组 8
hym 321000s/gs-50/-60
1M
×
32-位
early 写 循环
写 command 支撑 时间
t
WCH
8–10–ns
写 command 脉冲波 宽度
t
WP
8–10–ns
写 command 建制 时间
t
WCS
0–0–ns13
写 command 至 ras
含铅的 时间
t
RWL
13 – 15 – ns
写 command 至 cas
含铅的 时间
t
CWL
13 – 15 – ns
数据 建制 时间
t
DS
0–0–ns14
数据 支撑 时间
t
DH
10 – 10 – ns 14
快 页 模式 循环
快 页 模式 循环 时间
t
PC
35 – 40 – ns
CAS
precharge 时间
t
CP
10 – 10 – ns
进入 时间 从 cas
precharge
t
CPA
– 30 – 35 ns 7
RAS
脉冲波 宽度
t
RAS
50 200k 60 200k ns
CAS
precharge 至 ras延迟
t
RHCP
30 – 35 – ns
CAS-在之前-rasrefresh 循环
CAS建制 时间
t
CSR
10 – 10 – ns
CAS
支撑 时间
t
CHR
10 – 10 – ns
RAS
至 casprecharge 时间
t
RPC
5–5–ns
写 至 ras
precharge 时间
t
WRP
10 – 10 – ns
写 支撑 时间 关联 至 ras
t
WRH
10 – 10 – ns
交流 特性
(内容’d)
5)6)
M16F
T
一个
= 0 至 70 °c,
V
CC
= 5 v
±
10 %,
t
T
= 5 ns
参数
标识
限制 值 单位
便条
-50 -60
最小值 最大值 最小值 最大值

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半导体组 8 hym 321000s/gs-50/-60 1M × 32-位 early 写循环写 command 支撑时间 t WCH 8–10–ns 写 command 脉冲波宽度 t WP 8–10–ns 写 command 建制时间 t WCS 0–0–ns13 写 command 至 ras 含铅的时间 t RWL 13 – 15 – ns 写 command 至 cas 含铅的时间 t CWL 13 – 15 – ns 数据建制时间 t DS 0–0–ns14 数据支撑时间 t DH 10 – 10 – ns 14 快页模式循环快页模式循环时间 t PC 35 – 40 – ns CAS precharge 时间 t CP 10 – 10 – ns 进入时间从 cas precharge t CPA – 30 – 35 ns 7 RAS 脉冲波宽度 t RAS 50 200k 60 200k ns CAS precharge 至 ras延迟 t RHCP 30 – 35 – ns CAS-在之前-rasrefresh 循环 CAS建制时间 t CSR 10 – 10 – ns CAS 支撑时间 t CHR 10 – 10 – ns RAS 至 casprecharge 时间 t RPC 5–5–ns 写至 ras precharge 时间 t WRP 10 – 10 – ns 写支撑时间关联至 ras t WRH 10 – 10 – ns 交流特性 (内容’d) 5)6) M16F T 一个 = 0 至 70 °c, V CC = 5 v ± 10 %, t T = 5 ns 参数标识限制值单位便条 -50 -60 最小值最大值最小值最大值

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