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资料编号:39111
 
资料名称:2SC1212
 
文件大小: 29.83K
   
说明
 
介绍:
Silicon NPN Epitaxial
 
 


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2sc1212, 2sc1212a
2
电的 特性
(ta = 25°c)
2SC1212 2SC1212A
Item 标识 最小值 典型值 最大值 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
集电级 至 根基
损坏 电压
V
(br)cbo
50 80 V I
C
= 1 毫安, i
E
= 0
集电级 至 发射级
损坏 电压
V
(br)ceo
50 80 V I
C
= 10 毫安, r
=
发射级 至 根基
损坏 电压
V
(br)ebo
4 ——4 ——V I
E
= 1 毫安, i
C
= 0
集电级 截止 电流 I
CBO
——5 5
µ
AV
CB
= 50 v, i
E
= 0
直流 电流 tarnsfer 比率 h
FE
*
1
60 200 60 200 V
CE
= 4 v, i
C
= 50 毫安
h
FE
20 20 V
CE
= 4 v, i
C
= 1 一个
(脉冲波 测试)
根基 至 发射级 电压 V
0.65 1.0 0.65 1.0 V V
CE
= 4 v, i
C
= 50 毫安
集电级 至 发射级
饱和 电压
V
ce(sat)
0.75 1.5 0.75 1.5 V I
C
= 1 一个, i
B
= 0.1 一个
(脉冲波 测试)
增益 带宽 产品 f
T
160 160 MHz V
CE
= 4 v, i
C
= 30 毫安
便条: 1. 这 2sc1212 和 2sc1212a 是 grouped 用 h
FE
作 跟随.
BC
60 至 120 100 至 200
1.0
0.75
0.5
0.25
0 50 100 200150
包围的 温度 ta (
°
c)
集电级 电源 消耗 p
C
(w)
最大 集电级 消耗 曲线
12
8
4
0 50 100 150
情况 温度 t
C
(
°
c)
集电级 电源 消耗 p
C
(w)
最大 集电级 消耗 曲线
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