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资料编号:39111
 
资料名称:2SC1212
 
文件大小: 29.83K
   
说明
 
介绍:
Silicon NPN Epitaxial
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2sc1212, 2sc1212a
3
1.6
200
20 50
集电级 至 发射级 电压 v
CE
(v)
典型 输出 特性
160
40
10 30 400
80
120
I
B
= 0
T
C
= 25
°
C
0.2 毫安
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
集电级 电流 i
C
(毫安)
1.0
25
集电级 至 发射级 电压 v
CE
(v)
典型 输出 特性
0.8
0.2
1340
0.4
0.6
I
B
= 0
T
C
= 25
°
C
2 毫安
4
6
8
10
14
16
18
集电级 电流 i
C
(一个)
12
180
0.05 1.0
集电级 电流 i
C
(一个)
直流 电流 转移 比率 h
FE
160
100
0.02 1.0 0.5
60
120
140
直流 电流 转移 比率 vs.
集电级 电流
T
C
= 75
°
C
V
CE
= 4 v
0.01
80
0.2
25
–25
T
C
= –75
°
C
V
CE
= 4 v
25
–25
1.0
0.4 1.2
根基 至 发射级 电压 v
(v)
集电级 电流 i
C
(一个)
典型 转移 特性
0.03
0.20 0.6 0.8 1.0
0.01
0.1
0.3
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