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资料编号:39308
 
资料名称:2SJ186
 
文件大小: 42.09K
   
说明
 
介绍:
Silicon P-Channel MOS FET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2SJ186
3
电的 特性
(ta = 25°c)
Item 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
流 至 源 损坏
电压
V
(br)dss
–200 V I
D
= –10 毫安, v
GS
= 0
门 至 源 损坏
电压
V
(br)gss
±
15——V I
G
=
±
100
µ
一个, v
DS
= 0
门 至 源 leak 电流 I
GSS
——
±
10
µ
AV
GS
=
±
12 v, v
DS
= 0
零 门 电压 流 电流 I
DSS
–50
µ
AV
DS
= –160 v, v
GS
= 0
门 至 源 截止 电压 V
gs(止)
–2.0 –4.0 V I
D
= –1 毫安, v
DS
= –10 v
静态的 流 至 源 在 状态 R
ds(在)
8.0 12.0
I
D
= –0.25 一个, v
GS
= –10 v*
1
阻抗 10.0 15.0 I
D
= –1 一个, v
GS
= –10 v*
1
向前 转移 admittance |y
fs
| 0.18 0.3 S I
D
= –0.25 一个, v
DS
= –10 v*
1
输入 电容 Ciss 75 pF V
DS
= –10 v, v
GS
= 0,
输出 电容 Coss 32 pF f = 1 mhz
反转 转移 电容 Crss 5 pF
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
—6 —nsI
D
= –0.25 一个, v
GS
= –10 v,
上升 时间 t
r
—6 —nsR
L
= 120
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
—17—ns
下降 时间 t
f
—15—ns
身体 至 流 二极管 向前
电压
V
DF
0.95 V I
F
= –0.5 一个, v
GS
= 0
身体 至 流 二极管 反转
恢复 时间
t
rr
100 ns I
F
= –0.5 一个, v
GS
= 0,
di
F
/dt = 50 一个/
µ
s
便条: 1. 脉冲波 测试
标记 为 2sj186 是 “cy”.
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