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资料编号:39308
 
资料名称:2SJ186
 
文件大小: 42.09K
   
说明
 
介绍:
Silicon P-Channel MOS FET
 
 


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2SJ186
5
–20
–8 –20
门 至 源 电压 v
GS
(v)
流 至 源 饱和 电压 v
ds (在)
(v)
–16
–4
–4 –12 –160
–8
–12
流 至 源 饱和 电压
vs. 门 至 源 电压
脉冲波 测试
–0.5 一个
I
D
= –0.2 一个
–1 一个
100
–0.05 –1
流 电流 i
D
(一个)
静态的 流 至 源 在 状态 阻抗
R
ds (在)
(
)
–0.02 –0.1–0.01
静态的 流 至 源 在 状态
阻抗 vs. 流 电流
–0.2
50
20
10
5
2
1
V
GS
= –10 v
–15 v
脉冲波 测试
–0.5
24
40 160
情况 温度 t
C
(°c)
静态的 流 至 源 在 状态 阻抗
R
ds (在)
(
)
20
8
0 80 120
4
12
16
静态的 流 至 源 在 状态
阻抗 vs. 情况 温度
–40
脉冲波 测试
V
GS
= –10 v
I
D
= –0.2 一个
–0.5 一个
–1 一个
1.0
–0.1
流 电流 i
D
(一个)
向前 转移 admittance
yfs
(s)
0.5
0.05
0.01
0.1
0.2
向前 转移 admittance
vs. 流 电流
–0.01
0.02
脉冲波 测试
V
DS
= –20 v
T
C
= –25°c
75°C
25°C
–0.02 –0.05 –0.1 –0.2 –0.5
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