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资料编号:39321
 
资料名称:2SJ278
 
文件大小: 42.2K
   
说明
 
介绍:
Silicon P-Channel MOS FET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2SJ278
2
绝对 最大 比率
(ta = 25°c)
Item 标识 比率 单位
流 至 源 电压 V
DSS
–60 V
门 至 源 电压 V
GSS
±
20 V
流 电流 I
D
–1 一个
流 顶峰 电流 I
d(脉冲波)
*
1
–4 一个
身体 至 流 二极管 反转 流 电流 I
DR
–1 一个
频道 消耗 Pch*
2
1W
频道 温度 Tch 150
°
C
存储 温度 Tstg –55 至 +150
°
C
注释: 1. PW
10
µ
s, 职责 循环
1%
2. 值 在 这 alumina 陶瓷的 板 (12.5
×
20
×
0.7 mm)
3. 标记 是 “my”.
电的 特性
(ta = 25°c)
Item 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
流 至 源 损坏
电压
V
(br)dss
–60 V I
D
= –10 毫安, v
GS
= 0
门 至 源 损坏
电压
V
(br)gss
±
20——V I
G
=
±
100
µ
一个, v
DS
= 0
门 至 源 leak 电流 I
GSS
——
±
5
µ
AV
GS
=
±
16 v, v
DS
= 0
零 门 电压 流 电流 I
DSS
–10
µ
AV
DS
= –50 v, v
GS
= 0
门 至 源 截止 电压 V
gs(止)
–1.0 –2.25 V I
D
= –1 毫安, v
DS
= –10 v
静态的 流 至 源 在 状态 R
ds(在)
0.7 0.83
I
D
= –0.5 一个, v
GS
= –10 v*
1
阻抗 0.9 1.2
I
D
= –0.5 一个, v
GS
= –4 v*
1
向前 转移 admittance |y
fs
| 0.6 1.0 S I
D
= –0.5 一个, v
DS
= –10 v*
1
输入 电容 Ciss 160 pF V
DS
= –10 v, v
GS
= 0,
输出 电容 Coss 80 pF f = 1 mhz
反转 转移 电容 Crss 28 pF
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
—7 —nsI
D
= –0.5 一个, v
GS
= –10 v,
上升 时间 t
r
—8 —nsR
L
= 60
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
—30—ns
下降 时间 t
f
—25—ns
身体 至 流 二极管 向前
电压
V
DF
–1.1 V I
F
= –1 一个, v
GS
= 0
身体 至 流 二极管 反转
恢复 时间
t
rr
90 ns I
F
= –1 一个, v
GS
= 0,
di
F
/dt = 50 一个/
µ
s
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