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资料编号:39321
 
资料名称:2SJ278
 
文件大小: 42.2K
   
说明
 
介绍:
Silicon P-Channel MOS FET
 
 


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2SJ278
4
–1.0
–0.8
-0.6
-0.4
–0.2
0 –2 –4 –6 –8 –10
门 至 源 电压 v (v)
GS
v (v)
ds(在)
脉冲波 测试
流 至 源 饱和 电压 vs.
门 至 源 电压
i = –1 一个
D
–0.5 一个
–0.2 一个
流 至 源 饱和 电压
流 电流 i (一个)
D
流 至 源 在 状态 阻抗
r ( )
ds(在)
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
–10 v
v = –4 v
GS
脉冲波 测试
静态的 流 至 源 在 状态 阻抗
vs. 流 电流
–0.05 –0.1 –0.2 –0.5 –1 –2 –5
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
–40 0 40 80 120 160
情况 温度 tc (°c)
0
r ( )
ds(在)
静态的 流 至 源 在 状态 阻抗
静态的 流 至 源 在 状态 阻抗
vs. 温度
脉冲波 测试
–1 一个
v = –4 v
GS
–0.5 一个
–0.2 一个
–1 一个
–10 v
–0.5 一个
–0.2 一个
流 电流 i (一个)
D
向前 转移 admittance |y | (s)
fs
75 °c
向前 转移 admittance vs.
流 电流
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
–0.01 –0.02 –0.05 –0.1 –0.2 –0.5 –1
tc = –25 °c
25 °c
v = –10 v
脉冲波 测试
DS
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