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资料编号:39345
 
资料名称:2SJ160
 
文件大小: 40.69K
   
说明
 
介绍:
Silicon P-Channel MOS FET
 
 


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2sj160, 2sj161, 2sj162
3
电的 特性
(ta = 25°c)
Item 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
流 至 源 2SJ160 V
(br)dsx
–120 V I
D
= –10 毫安 , v
GS
= 10 v
损坏 电压 2SJ161 –140 V
2SJ162 –160 V
门 至 源 损坏
电压
V
(br)gss
±
15——V I
G
=
±
100
µ
一个, v
DS
= 0
门 至 源 截止 电压 V
gs(止)
–0.15 –1.45 V I
D
= –100 毫安, v
DS
= –10 v
流 至 源 饱和
电压
V
ds(sat)
–12 V I
D
= –7 一个, v
GD
= 0*
1
向前 转移 admittance |y
fs
| 0.7 1.0 1.4 S I
D
= –3 一个, v
DS
= –10 v*
1
输入 电容 Ciss 900 pF V
GS
= 5 v, v
DS
= –10v,
输出 电容 Coss 400 pF f = 1 mhz
反转 转移 电容 Crss 40 pF
转变-在 时间 t
230 ns V
DD
= –20 v, i
D
= –4 一个
转变-止 时间 t
110 ns
便条: 1. 脉冲波 测试
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