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资料编号:39345
资料名称:
2SJ160
文件大小: 40.69K
说明
:
介绍
:
Silicon P-Channel MOS FET
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2sj160, 2sj161, 2sj162
4
150
100
50
0
50
100
150
情况 温度 t
C
(°c)
电源 vs. 温度 减额
频道 消耗 pch (w)
–20
–5
–1.0
–0.2
–20
–100
–500
流 至 源 电压 v
DS
(v)
流 电流 i
D
(一个)
最大 safe 运作 范围
–10
–0.5
–5
–10
–50
–200
ta = 25°c
直流 运作 (t
C
= 25°c)
pw = 100 ms (1 shot)
pw = 10 ms (1 shot)
I
D
最大值 (持续的)
(–14.3 v,
–7 一个)
(–140 v, –0.71 一个)
(–160 v, –0.63 一个)
2SJ160
2SJ161
2SJ162
(–120 v, –0.83 一个)
–2
–10
–20
–50
流 至 源 电压 v
DS
(v)
典型 输出 特性
–8
–2
–10
–30
–40
T
C
= 25°c
0
–4
–6
–2
V
GS
= 0
流 电流 i
D
(一个)
–1 v
–3
–4
–5
–6
–7
–8
–9
pch = 100 w
–1.0
–0.8
–2.0
门 至 源 电压 v
GS
(v)
流 电流 i
D
(一个)
典型 转移 特性
–0.8
–0.2
–0.4
–1.2
–1.60
–0.4
–0.6
V
DS
= –10 v
75
T
C
= –25°c
25
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