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资料编号:394221
 
资料名称:SI4501DY
 
文件大小: 58.93K
   
说明
 
介绍:
Complementary MOSFET Half-Bridge (N- and P-Channel)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si4501DY
vishay siliconix
新 产品
www.vishay.com
2-4
文档 号码: 70934
s-61812—rev.b, 19-jul-99
典型 特性 (25
c 除非 指出) NCHANNEL
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0246810
在-阻抗vs. 门-至-source voltage
V
GS
-门-至-源 电压 (v)
I
D
= 4.5 一个
-在-阻抗 (
r
ds(在)
)
0.01
0
1
50
20
30
10 300.1
单独的 脉冲波 电源
时间 (秒)
10
40
电源 (w)
-1.0
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
-0.0
0.2
0.4
0.6
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
T
J
= 150
C
T
J
= 25
C
I
D
= 250
一个
50
10
1
2
1
0.1
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1 10 600
0.2
0.1
0.05
0.02
单独的 脉冲波
职责 循环 = 0.5
门槛 voltage
variance (v)V
gs(th)
T
J
-温度 (
c)
源-流 二极管 向前电压
normalized 热的 瞬时 阻抗, 接合面-至-包围的
正方形的 波脉冲波 持续时间 (秒)
normalized 有效的瞬时
热的 阻抗
V
SD
-源-至-流 电压 (v)
-源 电流 (一个)I
S
1. 职责 循环, d =
2. 每 单位 根基 = r
thJA
= 73
c/w
3. t
JM
- t
一个
= p
DM
Z
thJA
(t)
t
1
t
2
t
1
t
2
注释:
4. 表面 挂载
P
DM
100
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