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Si4501DY
vishay siliconix
新 产品
www.vishay.com
2-6
文档 号码:  70934
s-61812—rev.b, 19-jul-99
典型 特性 (25

c 除非 指出) PCHANNEL
0.001
0
1
80
20
100.01
单独的脉冲波 电源,juncion-to-包围的
时间 (秒)
60
40
电源  (w)
0.1
0
1
2
3
4
5
0 4 8 12 16
0.75
1.00
1.25
1.50
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
V
DS
= 4 v
I
D
= 5.6  一个
V
GS
= 4.5 v
I
D
= 5.6  一个
门 承担
-门-至-源 电压 (v)
Q
g
-总的 门 承担 (nc)
V
GS
在-阻抗 vs. 接合面 temperature
T
J
-接合面 温度 (

c)
(normalized)
-在-阻抗 (r
ds(在)

)
-0.2
0.0
0.2
0.4
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0.16
0.20
012345
0.00 0.25 0.50 0.75 1.00 1.25 1.50
源-流二极管 向前 voltage 在-阻抗 vs. 门-至-源电压
门槛 voltage
-在-阻抗 (r
ds(在)

)
V
SD
-源-至-流 电压 (v) V
GS
-门-至-源 电压 (v)
-源 电流 (一个)I
S
T
J
-温度 (

c)
T
J
= 150

C
T
J
= 25

C
I
D
= 5.6 一个
I
D
= 250
 
一个
variance (v)V
gs(th)
20
1
10

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Si4501DY vishay siliconix 新产品 www.vishay.com 2-6 文档号码: 70934 s-61812—rev.b, 19-jul-99 典型特性 (25  c 除非指出) PCHANNEL 0.001 0 1 80 20 100.01 单独的脉冲波电源,juncion-to-包围的时间 (秒) 60 40 电源 (w) 0.1 0 1 2 3 4 5 0 4 8 12 16 0.75 1.00 1.25 1.50 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 V DS = 4 v I D = 5.6 一个 V GS = 4.5 v I D = 5.6 一个门承担 -门-至-源电压 (v) Q g -总的门承担 (nc) V GS 在-阻抗 vs. 接合面 temperature T J -接合面温度 (  c) (normalized) -在-阻抗 (r ds(在)  ) -0.2 0.0 0.2 0.4 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 0.00 0.04 0.08 0.12 0.16 0.20 012345 0.00 0.25 0.50 0.75 1.00 1.25 1.50 源-流二极管向前 voltage 在-阻抗 vs. 门-至-源电压门槛 voltage -在-阻抗 (r ds(在)  ) V SD -源-至-流电压 (v) V GS -门-至-源电压 (v) -源电流 (一个)I S T J -温度 (  c) T J = 150  C T J = 25  C I D = 5.6 一个 I D = 250  一个 variance (v)V gs(th) 20 1 10

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