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资料编号:394228
 
资料名称:SI4562DY
 
文件大小: 74.27K
   
说明
 
介绍:
N- and P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si4562DY
vishay siliconix
文档 号码: 70717
s-54940—rev. 一个, 29-sep-97
www.vishay.com
faxback 408-970-5600
2-3
  
   
0
10
20
30
40
0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
0
1
2
3
4
5
0 5 10 15 20 25
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
–50 –25 0 25 50 75 100 125 150
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0 10203040
0
800
1600
2400
3200
4000
0 4 8 12 16 20
0
10
20
30
40
0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0
输出 特性 转移 特性
门 承担
– 流-至-源 电压 (v)
– 流 电流 (一个)i
D
V
GS
= 5 thru 3 v
2 v
V
GS
– 门-至-源 电压 (v)
– 流 电流 (一个)i
D
T
C
= 125
C
25
C
–55
C
– 门-至-源 电压 (v)
Q
g
– 总的 门 承担 (nc)
V
DS
– 流-至-源 电压 (v)
c – 电容 (pf)
V
GS
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 10 v
I
D
= 7.1 一个
– 在-阻抗 (r
ds(在)
)
I
D
– 流 电流 (一个)
电容
在-阻抗 vs. 接合面 温度
V
GS
= 4.5 v
I
D
= 7.1 一个
T
J
– 在-阻抗 (r
ds(在)
)
V
GS
= 2.5 v
V
GS
= 4.5 v
1, 1.5 v
2.5 v
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