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资料编号:394228
 
资料名称:SI4562DY
 
文件大小: 74.27K
   
说明
 
介绍:
N- and P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
 
 


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Si4562DY
vishay siliconix
www.vishay.com
faxback 408-970-5600
2-6
文档 号码: 70717
s-54940—rev. 一个, 29-sep-97
  
   
源-流 二极管 向前 电压 在-阻抗 vs. 门-至-源 电压
门槛 电压 单独的 脉冲波 电源
normalized 热的 瞬时 阻抗, 接合面-至-包围的
正方形的 波 脉冲波 持续时间 (秒)
normalized 有效的 瞬时
热的 阻抗
– 在-阻抗 (r
ds(在)
)
V
SD
– 源-至-流 电压 (v) V
GS
– 门-至-源 电压 (v)
– 源 电流 (一个)i
S
T
J
– 温度 (
c) 时间 (秒)
电源 (w)
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
012345
–0.3
0.0
0.3
0.6
–50 –25 0 25 50 75 100 125 150
I
D
= 6.2 一个
I
D
= 250
一个
variance (v)v
gs(th)
40
10
1
0 0.2 0.4 0.8 1.0 1.6
0
6
12
18
24
30
0.01 0.10 1.00 10.00
2
1
0.1
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
11030
0.2
0.1
0.05
0.02
单独的 脉冲波
职责 循环 = 0.5
1. 职责 循环, d =
2. 每 单位 根基 = r
thJA
= 62.5
c/w
3. t
JM
– t
一个
= p
DM
Z
thJA
(t)
t
1
t
2
t
1
t
2
注释:
4. 表面 挂载
P
DM
T
J
= 150
C
T
J
= 25
C
0.6
1.2
1.4
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