首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:394235
 
资料名称:SI4559EY
 
文件大小: 84.11K
   
说明
 
介绍:
N-Channel 60-V (D-S), 175∑C MOSFET
 
 


: 点此下载
  浏览型号SI4559EY的Datasheet PDF文件第1页
1

2
浏览型号SI4559EY的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号SI4559EY的Datasheet PDF文件第4页
4
浏览型号SI4559EY的Datasheet PDF文件第5页
5
浏览型号SI4559EY的Datasheet PDF文件第6页
6
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si4559EY
vishay siliconix
www.vishay.com
faxback 408-970-5600
2-2
文档 号码: 70167
s-57253—rev. d, 24-二月-98
 

   
参数 标识 测试 情况 最小值 Typ
一个
最大值 单位
静态的
门 门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
= 250
一个
n-ch
1
vgate 门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
= –250
一个
p-ch
–1
V
门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
=0 v
=
20 v
n-ch
100
nagate-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
20 v
p-ch
100
nA
ZGVl DiC I
V
DS
= 60 v, v
GS
= 0 v
n-ch
2
一个
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= –60 v, v
GS
= 0 v
p-ch
–2
azero 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 60 v, v
GS
= 0 v, t
J
= –60 v, v
GS
= 0 v, t
J
b
I
d(在)
V
DS
5 v, v
GS
= 10 v
n-ch
20
aon-状态 流 电流
b
I
d(在)
V
DS
–5 v, v
GS
= –10 v
p-ch
–20
一个
DiS OS R i
b
V
GS
= 10 v, i
D
= 4.5 一个
n-ch
0.045 0.055
流-源 在-状态 阻抗
b
r
ds(在)
V
GS
= –10 v, i
D
= –3.1 一个
p-ch
0.100 0.120
流-源 在-状态 阻抗
b
r
ds(在)
V
GS
= 3.9 一个
n-ch
0.055 0.075
V
GS
= –4.5 v, i
D
= –2.8 一个
p-ch
0.125 0.150
向前 跨导
b
g
fs
V
DS
= 15 v, i
D
= 4.5 一个
n-ch
13
S
向前 跨导
b
g
fs
V
DS
= –15 v, i
D
= –3.1 一个
p-ch
7.5
S
二极管 向前 电压
b
V
SD
I
S
= 0 v
n-ch
0.9 1.2
vdiode 向前 电压
b
V
SD
I
S
= –2.0 一个, v
GS
= 0 v
p-ch
–0.8 –1.2
V
动态
一个
总的 门 承担 Q
g
NCh l
n-ch
19 30
C
总的 门 承担 Q
g
n-频道
V
30
V V 10 V I 4 5 一个
p-ch
16 25
cgate-源承担 Q
gs
V
DS
=
30
v,
V
GS
= 10 v, i
D
= 4.5 一个
n-ch
4
ncgate-源 承担 Q
gs
p-频道
V
DS
= –30 v,
V
GS
= –10 v
p-ch
4
nC
门-流承担 Q
gd
V
DS
=30 v,
V
GS
=10 v
I
D
= –3.1a
n-ch
3
门-流 承担 Q
gd
p-ch
1.6
转变-在延迟 时间 t
d(在)
NCh l
n-ch
13 20
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
NCh l
p-ch
8 15
上升 时间 t
r
n-频道
V
DD
= 30 v,R
L
1 一个, v
GEN
= 6
p-ch
10 20
转变-的f 延迟 时间 t
d(止)
p-频道
V30VR30
n-ch
36 60
ns
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
V
DD
= 30
I
D
–1 一个, v
GEN
= –10 v, r
G
= 6
p-ch
12 25
ns
下降 时间 t
f
I
D
1 一个, v
GEN
10 v, r
G
6
n-ch
11 20
下降 时间 t
f
p-ch
35 50
源-流 反转 恢复 时间 t
rr
I
F
= 2 一个, di/dt = 100 一个/
s
n-ch
35 60
源-流 反转 恢复 时间 t
rr
I
F
= –2 一个, di/dt = 100 一个/
s
p-ch
60 90
注释
一个. 有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试.
b. 脉冲波 测试; 脉冲波 宽度
300
s, 职责 循环
2%.
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com