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资料编号:394235
 
资料名称:SI4559EY
 
文件大小: 84.11K
   
说明
 
介绍:
N-Channel 60-V (D-S), 175∑C MOSFET
 
 


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Si4559EY
vishay siliconix
www.vishay.com
faxback 408-970-5600
2-6
文档 号码: 70167
s-57253—rev. d, 24-二月-98
  
   
normalized 热的 瞬时 阻抗, 接合面-至-包围的
正方形的 波 脉冲波 持续时间 (秒)
2
1
0.1
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
normalized 有效的 瞬时
热的 阻抗
30
0.2
0.1
0.05
0.02
单独的 脉冲波
职责 循环 = 0.5
10
单独的 脉冲波 电源
时间 (秒)
T
C
单独的 脉冲波
0.01
50
0
30
40
30
20
10
0.1 1 10
1.25 1.50
电源 (w)
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
246810
–0.25
0.00
0.25
0.50
0.75
–50 –25 0 25 50 75 100 125 150 175
1
10
20
I
D
源-流 二极管 向前 电压 在-阻抗 vs. 门-至-源 电压
门槛 电压
– 在-阻抗 (r
ds(在)
)
V
SD
– 源-至-流 电压 (v) V
GS
– 门-至-源 电压 (v)
– 源 电流 (一个)i
S
T
J
– 温度 (
c)
variance (v)v
gs(th)
0.00 0.25 0.50 0.75 1.00
T
J
= 175
C
1. 职责 循环, d =
2. 每 单位 根基 = r
thJA
= 62.5
c/w
3. t
JM
– t
一个
= p
DM
Z
thJA
(t)
t
1
t
2
t
1
注释:
4. 表面 挂载
P
DM
t
2
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