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资料编号:394268
 
资料名称:SI4892DY
 
文件大小: 71.82K
   
说明
 
介绍:
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si4892DY
vishay siliconix
www.vishay.com
2
文档 号码: 71407
s-51455—rev. f,01-8月-05



参数 标识 测试 情况 最小值 Typ 最大值 单位
静态的
门 门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250
一个 0.80 V
门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
20 v
100 nA
电压 电流 I
DSS
V
DS
= 30 v, v
GS
= 0 v 1
一个零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 30 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 70
C 5
一个
在-状态 流 电流
一个
I
d(在)
V
DS
5 v, v
GS
= 10
V
50 一个
流- 在-状态 阻抗
一个
r
ds(在)
V
GS
= 10
v,I
D
= 12.4 一个
0.010 0.012
Dra在-源 在-stateResistance
一个
r
ds(在)
V
GS
= 4.5 v, i
D
= 9.6 一个 0.016 0.020
向前 跨导
一个
g
fs
V
DS
= 15 v, i
D
= 12.4 一个 27 S
二极管 向前 电压
一个
V
SD
I
S
= 2.6 一个, v
GS
= 0 v 0.75 1.2 V
动态
b
总的 门 承担 Q
g
8.7 10.5
门-源 承担 Q
gs
V
DS
= 15 v,
V
GS
= 5.0 v, i
D
= 12.4 一个 2.4 nC
门-流 承担 Q
gd
3.5
门 阻抗 R
g
0.5 1.1 1.9
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
10 20
上升 时间 t
r
V
DD
= 15 v, r
L
= 15
11 20
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
V
DD
=15 v,R
L
=15
I
D
1 一个, v
GEN
= 10 v, r
G
= 6
24 50
ns
下降 时间 t
f
10 20
源-流 反转 恢复 时间 t
rr
I
F
=26A di/dt = 100 一个/
s
50 75
反转 恢复 承担 Q
rr
I
F
= 2.6 一个, di/dt = 100 一个/
s
38 nC
注释
一个. 脉冲波 测试; 脉冲波 宽度
300
s, 职责 循环
2%.
b. 有保证的 用 设计,不 主题 至 生产 测试.


0
10
20
30
40
50
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5
0
10
20
30
40
50
01234
V
GS
= 10 thru 4 v
25
C
T
C
= 125
C
2 v
–55
C
3 v
输出 特性 转移 特性
V
DS
– 流-至-源 电压 (v)
– 流 电流 (一个)I
D
V
GS
– 门-至-源 电压 (v)
– 流 电流 (一个)I
D
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