Si4892DY
vishay siliconix
文档 号码: 71407
s-51455—rev. f,01-8月-05
www.vishay.com
3
0.000
0.005
0.010
0.015
0.020
0.025
0 1020304050
0
2
4
6
8
10
0 2 4 6 8 10 12 14 16
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
–50 –25 0 25 50 75 100 125 150
0
200
400
600
800
1000
1200
0 5 10 15 20 25 30
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 15 v
I
D
= 12.4 一个
V
GS
= 10 v
I
D
= 12.4 一个
V
GS
= 10 v
门 承担
在-阻抗 vs. 流 电流
– 门-至-源 电压 (v)
Q
g
– 总的 门 承担 (nc)
V
DS
– 流-至-源 电压 (v)
c – 电容 (pf)
V
GS
– 在-阻抗 (r
ds(在)
)
I
D
– 流 电流 (一个)
电容
在-阻抗 vs. 接合面 temperature
T
J
– 接合面 温度 (
c)
V
GS
= 4.5 v
1.0 1.2
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0246810
1
10
50
I
D
= 12.4 一个
0.00 0.2 0.4 0.6 0.8
T
J
= 25
C
T
J
= 150
C
源-流 diode 向前 voltage 在-阻抗 vs. 门-至-源电压
– 在-阻抗 (r
ds(在)
)
V
SD
– 源-至-流 电压 (v) V
GS
– 门-至-源 电压 (v)
– 源 电流 (一个)I
S
r
ds(在)
– 在-阻抗
(normalized)