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资料编号:394306
 
资料名称:SI4925DY
 
文件大小: 70.96K
   
说明
 
介绍:
Dual P-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET
 
 


: 点此下载
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
电的 特性
(t
一个
= 25
O
c 除非 否则 指出 )
标识参数情况最小值典型值最大值单位
止 特性
BV
DSS
流-源 损坏 电压V
GS
= 0 v, i
D
=-250 µa-30V
BV
DSS
/
T
J
损坏 电压 温度 系数
I
D
=-250 µ一个, 关联 至 25
o
C
-21
mv/
o
C
I
DSS
零 门 电压 流 电流
V
DS
= -24v,V
GS
= 0 v
-1µ一个
T
J
= 55°C
-10µ一个
I
GSSF
门 - 身体 泄漏, 向前V
GS
= 16v,V
DS
= 0 v100nA
I
GSSR
门 - 身体 泄漏, 反转
V
GS
= -16v,V
DS
= 0 v
-100nA
在 特性
(便条 2)
V
GS(th)
门 门槛 电压V
DS
= v
GS
, i
D
= -250µ一个-1-1.7-3V
V
gs(th)
/
T
J
门 门槛 电压温度 系数
I
D
=250 µ一个, 关联 至 25
o
C
4
mv/
o
C
R
ds(在)
静态的 流-源 在-阻抗
V
GS
=-10v,I
D
= -6一个
0.0250.032
T
J
=125°C0.0330.051
V
GS
= -4.5v,I
D
=-5一个
0.0340.045
I
d(在)
在-状态 流 电流V
GS
= -10v, v
DS
= -5 v-20一个
g
FS
向前 跨导
V
DS
= -10v, i
D
= -6一个
16S
动态特性
C
iss
输入 电容V
DS
= -15v, v
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
1540pF
C
oss
输出 电容400pF
C
rss
反转 转移 电容170pF
切换 chARACTERISTICS
(便条 2)
t
d(在)
转变 - 在 延迟 时间
V
DS
= -15v,I
D
= -1一个
1324ns
t
r
转变 - 在 上升 时间
V
GEN
= -10v, r
GEN
= 6
2235ns
t
d(止)
转变 - 止 延迟 时间4775ns
t
f
转变 - 止 下降 时间1830ns
Q
g
总的 门 承担V
DS
= -10v, i
D
= -6一个,14.520nC
Q
gs
门-源 承担
V
GS
= -5 v
4nC
Q
gd
门-流 承担5nC
流-源 二极管 特性 和 最大 比率
I
S
最大 持续的 流-源 二极管 向前 电流-1.3一个
V
SD
流-源 二极管 向前 电压V
GS
= 0 v, i
S
= -1.3一个
(便条 2)
-0.73-1.2V
注释:
1.R
θ
JA
是 这 总 的 这 接合面-至-情况 和 情况-至-包围的 热的 阻抗 在哪里 这 情况 热的 涉及 是 定义 作 这焊盘 挂载 表面 的 这 流 管脚.R
θ
JC
是 有保证的
设计 当 r
θ
CA
是 决定 用 这 用户's 板 设计.
规模 1 : 1 在 letter 大小 paper
2. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度<300µs, 职责 循环<2.0%.
Si4925DYrev.一个
c. 135
O
c/w 在一个 0.003
2
垫子 的 2oz铜.
b. 125
O
c/w 在一个 0.02
2
垫子 的2oz铜.
一个. 78
O
c/w 在一个 0.5
2
垫子 的 2oz铜.
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