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资料编号:394306
 
资料名称:SI4925DY
 
文件大小: 70.96K
   
说明
 
介绍:
Dual P-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si4925DYrev.一个
典型 电的 特性
(持续)
图示 10.单独的 脉冲波 最大 电源
消耗.
图示 8.电容 特性.图示 7. 门 承担 特性.
图示 9.最大 safe 运行 范围
.
图示 11. 瞬时 热的 回馈 曲线.
热的 描绘 执行 使用 这 情况 描述 在 note 1c.
瞬时 热的 回馈 将 改变 取决于 在 这 电路 板 设计.
0612182430
0
2
4
6
8
10
q , 门 承担 (nc)
- v , 门-源 电压 (v)
g
GS
I=-6a
D
V=-5v
DS
-10v
-15v
0.10.20.5125102030
100
200
500
1000
2000
3000
- v , 流 至 源 电压 (v)
电容 (pf)
DS
C
iss
f=1 mhz
V=0 v
GS
C
oss
C
rss
0.10.3125103050
0.01
0.05
0.5
3
10
30
- v , 流-源 电压 (v)
- i , 流 电流 (一个)
rds(在) 限制
D
直流
DS
1s
100ms
10ms
1ms
10s
100us
v = -10v
单独的 脉冲波
r =135°c/w
t = 25°c
θ
JA
一个
GS
0.010.10.51050100300
0
5
10
15
20
25
30
单独的 脉冲波 时间 (秒)
电源 (w)
单独的 脉冲波
r =135°c/w
t = 25°c
θ
JA
一个
0.00010.0010.010.1110100300
0.001
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
t , 时间 (秒)
瞬时 热的 阻抗
r(t), normalized 有效的
1
单独的 脉冲波
d = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
职责 循环, d = t /t
1
2
r (t) = r(t) * r
r = 135°c/w
θ
JA
θ
JA
θ
JA
t - t = p * r (t)
θ
JA
一个
J
p(pk)
t
1
t
2
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