Si4966DY
vishay siliconix
文档 号码: 70718
s-54939—rev. 一个, 29-sep-97
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2-1
双 n-频道 2.5-v (g-s) 场效应晶体管
V
DS
(v) r
ds(在)
(
) I
D
(一个)
20
0.025 @ v
GS
= 4.5 v
7.1
20
0.035 @ v
GS
= 2.5 v
6.0
S
1
D
1
G
1
D
1
S
2
D
2
G
2
D
2
所以-8
5
6
7
8
顶 视图
2
3
4
1
n-频道 场效应晶体管
D
1
D
1
G
1
S
1
n-频道 场效应晶体管
D
2
D
2
G
2
S
2
参数 标识 限制 单位
流-源 电压 V
DS
20
V
门-源 电压 V
GS
12
V
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
一个
T
一个
= 25
C
I
D
7.1
一个
持续的 流 电流
(t
J
= 150 c)
一个
T
一个
= 70
C
I
D
5.7
一个
搏动 流 电流 (10
s 脉冲波 宽度) I
DM
40
一个
持续的 源 电流 (二极管 传导)
一个
I
S
1.7
最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 25
C
P
D
2
W
最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 70
C
P
D
1.3
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
–55 至 150
C
参数 标识 限制 单位
最大 接合面-至-包围的
一个
R
thJA
62.5
c/w
注释
一个. 表面 挂载 在 fr4 板, t
10 秒.
为 额外的刺激 模型 信息 通过 这 worldwide 网: http://www.vishay.com/www/产品/额外的刺激.htm
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