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资料编号:394313
 
资料名称:SI4966DY
 
文件大小: 52.79K
   
说明
 
介绍:
Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
 
 


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Si4966DY
vishay siliconix
www.vishay.com
faxback 408-970-5600
2-2
文档 号码: 70718
s-54939—rev. 一个, 29-sep-97
 

   
参数 标识 测试 情况 最小值 Typ 最大值 单位
静态的
门 门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250
一个 0.6 V
门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
12 v
100 nA
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 20 v, v
GS
= 0 v 1
azero 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 20 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 55
C 5
一个
在-状态 流 电流
一个
I
d(在)
V
DS
5 v, v
GS
= 4.5
V
20 一个
流-源在-状态 阻抗
一个
r
ds(在)
V
GS
= 4.5
v,I
D
= 7.1 一个
0.019 0.025
流-源 在-状态 阻抗
一个
r
ds(在)
V
GS
= 2.5 v, i
D
= 6.0 一个 0.025
0.035
向前 跨导
一个
g
fs
V
DS
= 10 v, i
D
= 7.1 一个 27 S
二极管 向前 电压
一个
V
SD
I
S
= 1.7 一个, v
GS
= 0 v 1.2 V
动态
b
总的 门 承担 Q
g
V10VV45VI71A
25 50
C
门-源 承担 Q
gs
V
DS
= 10 v,
V
GS
= 4.5 v, i
D
= 7.1 一个
6.5
nC
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
V10VR10
40 60
上升 时间 t
r
V
DD
= 10 v, r
L
= 10
I1AV 45VR6
40 60
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
DD
,
L
I
D
1 一个, v
GEN
= 4.5 v, r
G
= 6
90 150
ns
下降 时间 t
f
40 60
源-流 反转 恢复 时间 t
rr
I
F
= 1.7 一个, di/dt = 100 一个/
s 40 80
注释
一个. 脉冲波 测试; 脉冲波 宽度
300
s, 职责 循环
2%.
b. 有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试.
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