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资料编号:39453
 
资料名称:2SK1400A
 
文件大小: 49.46K
   
说明
 
介绍:
Silicon N-Channel MOS FET
 
 


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2sk1400, 2sk1400a
3
电的 特性
(ta = 25°c)
Item 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
流 至 源 K1400 V
(br)dss
300 V I
D
= 10 毫安, v
GS
= 0
损坏 电压 K1400A 350
门 至 源 损坏
电压
V
(br)gss
±
30——V I
G
=
±
100
µ
一个, v
DS
= 0
门 至 源 leak 电流 I
GSS
——
±
10
µ
AV
GS
=
±
25 v, v
DS
= 0
零 门 电压 K1400 I
DSS
250
µ
AV
DS
= 240 v, v
GS
= 0
流 电流 K1400A V
DS
= 280 v, v
GS
= 0
门 至 源 截止 电压 V
gs(止)
2.0 3.0 V I
D
= 1 毫安, v
DS
= 10 v
静态的 流 至 源 K1400 R
ds(在)
0.50 0.70
I
D
= 4 一个, v
GS
= 10 v *
1
在 状态 阻抗 K1400A 0.60 0.80
向前 转移 admittance |yfs| 3.0 5.0 S I
D
= 4 一个, v
DS
= 10 v *
1
输入 电容 Ciss 635 pF V
DS
= 10 v, v
GS
= 0,
输出 电容 Coss 230 pF f = 1 mhz
反转 转移 电容 Crss 40 pF
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
10 ns I
D
= 4 一个, v
GS
= 10 v,
上升 时间 t
r
50 ns R
L
= 7.5
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
—60—ns
下降 时间 t
f
—40—ns
身体 至 流 二极管 向前
电压
V
DF
1.0 V I
F
= 7 一个, v
GS
= 0
身体 至 流 二极管 反转
恢复 时间
t
rr
240 ns I
F
= 7 一个, v
GS
= 0,
di
F
/dt = 100 一个/
µ
s
便条: 1. 脉冲波 测试
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