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资料编号:39453
 
资料名称:2SK1400A
 
文件大小: 49.46K
   
说明
 
介绍:
Silicon N-Channel MOS FET
 
 


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2sk1400, 2sk1400a
7
10
2.0
源 至 流 电压 v
SD
(v)
反转 dratin 电流 i
DR
(一个)
8
0.4 0.8 1.6
0
4
6
0
2
1.2
脉冲波 测试
5 v, 10 v
V
GS
= 0, –5 v
反转 流 电流 vs.
sourse 至 流 电压
3
脉冲波 宽度 pw (s)
normalized 瞬时 热的 阻抗
γ
S
(t)
1.0
0.1
0.3
d = 1
10
µ
0.03
0.01
100
µ
10 m 100 m 1 101 m
T
C
= 25°c
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1 shot 脉冲波
normalized 瞬时 热的 阻抗 vs. 脉冲波 宽度
T
PW
P
DM
d =
T
PW
θ
ch–c (t) =
γ
S
(t) ·
θ
ch–c
θ
ch–c = 2.50°c/w, t
C
= 25°c
切换 时间 测试 电路
vin 监控
Vin
10 v
50
d.u.t
vout 监控
V
DD
30 v
=
.
.
R
L
波形
Vin
Vout
t
d (在)
10%
t
r
t
f
10%
90%
10%
90%
t
d (止)
90%
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