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文档 号码: 72768
s-51566-rev. d, 07-十一月-05
vishay siliconix
Si7636DP
注释
一个. 脉冲波 测试; 脉冲波 宽度
≤
300 µs, 职责 循环
≤
2 %.
b. 有保证的 用 设计, 不 subject 至 生产 测试.
压力 在之外 那些 列表 下面 “absolute 最大 ratings” 毫安y 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这些 是 压力 比率s 仅有的, 和 函数的 运作
的 这 设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之外 那些 表明 在 这 运算的sections 的 这 规格 是 不暗指. 暴露 至 绝对 最大
比率 情况 为 扩展 时期 将 影响 设备 可靠性.
典型 特性
25 °c, 除非 指出
规格
T
J
= 25 °c, 除非 否则 指出
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
静态的
门 门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250 µa 1.0 3.0 V
门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
= ±20 v ±100 nA
零 门 电压 流 电流
I
DSS
V
DS
= 30 v, v
GS
= 0 v 1
µA
V
DS
= 30 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 55°c 5
在-状态 流 电流
一个
I
d(在)
V
DS
≥
5 v, v
GS
= 10 v 30 一个
流-源 在-状态 阻抗
一个
r
ds(在)
V
GS
= 10 v, i
D
= 25 一个 0.0033 0.004
Ω
V
GS
= 4.5 v, i
D
= 19 一个 0.004 0.0048
向前 跨导
一个
g
fs
V
DS
= 15 v, i
D
= 25 一个 110 S
二极管 向前 电压
一个
V
SD
I
S
= 2.9 一个, v
GS
= 0 v 0.72 1.1 V
动态
b
输入 电容 C
iss
V
DS
= 15 v, v
DS
= 0 v, f = 1 mhz
5600
pF
输出 电容 C
oss
860
反转 转移 电容 C
rss
415
总的 门 承担 Q
g
V
DS
= 15 v, v
GS
= 4.5 v, i
D
= 20 一个
36 50
nC
门-源 承担 Q
gs
18
门-流 承担 Q
gd
10
门 阻抗 R
g
0.8 1.3 2.0
Ω
Tur n-OnDel 一个yTime t
d(在)
V
DD
= 15 v, r
L
= 15
Ω
I
D
≅
1 一个, v
GEN
= 10 v, r
G
= 6
Ω
24 35
ns
上升 时间 t
r
16 25
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
90 140
下降 时间 t
f
32 50
源-流 反转 恢复 时间 t
rr
I
F
= 2.9 一个, di/dt = 100 一个/µs 45 70
输出 特性
0
10
20
30
40
50
60
0246810
V
GS
= 10 thru 4 v
3 v
V
DS
– 流-至-源 电压 (v)
– 流 电流 (一个)I
D
转移 特性
0
10
20
30
40
50
60
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.
0
25
˚
C
–55
˚
C
V
GS
– 门-至-源 电压 (v)
– 流 电流 (一个)I
D
T
C
= 125
˚
C
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