SI7636DP_集成电路资料查询网

文档 号码: 72768
s-51566-rev. d, 07-十一月-05
www.vishay.com
3
vishay siliconix
Si7636DP
典型 特性
25 °c, 除非 指出
在-阻抗 vs. 流 电流
门 承担
源-流 二极管 向前 电压
0.000
0.001
0.002
0.003
0.004
0.005
0.006
0.0 10.0 20.0 30.0 40.0 50.0
V
GS
= 10 v
–  在-阻抗 (r
ds(在)
Ω
)
I
D
–  流 电流 (一个)
V
GS
= 4.5 v
0
1
2
3
4
5
6
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45
V
DS
= 15 v
I
D
= 20 一个
–  门-至-源 电压 (v)
Q
g
–  总的 门 承担 (nc)
V
GS
1.0 1.2
0.1
10
50
0.00 0.2 0.4 0.6 0.8
T
J
= 150
˚
C
V
SD
–  源-至-流 电压 (v)
–  源 电流 (一个)I
S
1
T
J
= 25
˚
C
电容
在-阻抗 vs. 接合面 温度
在-阻抗 vs. 门-至-源 电压
C
rss
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
0 6 12 18 24 30
V
DS
–  流-至-源 电压 (v)
c  –  电容 (pf)
C
oss
C
iss
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
–50 –25 0 25 50 75 100 125 150
V
GS
= 10 v
I
D
=  25 一个
T
J
– 接合面 温度 (
˚
c)
r
ds(在)
– 在-阻抗
(normalized)
0.000
0.002
0.004
0.006
0.008
0.010
0.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0
I
D
= 25 一个
–  在-阻抗 (r
ds(在)
Ω
)
V
GS
– 门-至-源 电压 (v)

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文档号码: 72768 s-51566-rev. d, 07-十一月-05 www.vishay.com 3 vishay siliconix Si7636DP 典型特性 25 °c, 除非指出在-阻抗 vs. 流电流门承担源-流二极管向前电压 0.000 0.001 0.002 0.003 0.004 0.005 0.006 0.0 10.0 20.0 30.0 40.0 50.0 V GS = 10 v – 在-阻抗 (r ds(在) Ω ) I D – 流电流 (一个) V GS = 4.5 v 0 1 2 3 4 5 6 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 V DS = 15 v I D = 20 一个 – 门-至-源电压 (v) Q g – 总的门承担 (nc) V GS 1.0 1.2 0.1 10 50 0.00 0.2 0.4 0.6 0.8 T J = 150 ˚ C V SD – 源-至-流电压 (v) – 源电流 (一个)I S 1 T J = 25 ˚ C 电容在-阻抗 vs. 接合面温度在-阻抗 vs. 门-至-源电压 C rss 0 1000 2000 3000 4000 5000 6000 7000 0 6 12 18 24 30 V DS – 流-至-源电压 (v) c – 电容 (pf) C oss C iss 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 –50 –25 0 25 50 75 100 125 150 V GS = 10 v I D = 25 一个 T J – 接合面温度 ( ˚ c) r ds(在) – 在-阻抗 (normalized) 0.000 0.002 0.004 0.006 0.008 0.010 0.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 I D = 25 一个 – 在-阻抗 (r ds(在) Ω ) V GS – 门-至-源电压 (v)

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