Si9435BDY
vishay siliconix
新 产品
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2
文档 号码: 72245
s-32274—rev. b, 03-十一月-03
规格 (t
J
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 测试 情况 最小值 Typ
一个
最大值 单位
静态的
门 门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
=
−
250
一个
−
1.0
−
3.0 V
门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
20 v
100 nA
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
=
−
30 v, v
GS
= 0 v
−
1
一个零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
=
−
30 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 70
C
−
5
一个
在 状态 流 电流
b
I
d( )
V
DS
−
10 v, v
GS
=
−
10 v
−
20
一个在-状态 流 电流
b
I
d(在)
V
DS
−
5 v, v
GS
=
−
4.5 v
−
5
一个
V
GS
=
−
10 v, i
D
=
−
5.7 一个 0.033 0.042
流-源 在-状态 阻抗
b
r
ds(在)
V
GS
=
−
6
v,I
D
=
−
5 一个
0.043 0.055
V
GS
=
−
4.5 v, i
D
=
−
4.4 一个 0.056 0.070
向前 跨导
b
g
fs
V
DS
=
−
15 v, i
D
=
−
5.7 一个 13 S
二极管 向前 电压
b
V
SD
I
S
=
−
2.3 一个, v
GS
= 0 v
−
0.8
−
1.1 V
动态
一个
总的 门 承担 Q
g
16 24
门-源 承担 Q
gs
V
DS
=
−
15 v,
V
GS
=
−
10 v, i
D
=
−
3.5 一个 2.3 nC
门-流 承担 Q
gd
4.5
门 阻抗 R
g
8.8
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
14 25
上升 时间 t
r
V
DD
=
−
15 v, r
L
= 15
14 25
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
V
DD
=
−
15 v,R
L
= 15
I
D
−
1 一个, v
GEN
=
−
10 v, r
G
= 6
42 70
ns
下降 时间 t
f
30 50
源-流 反转 恢复 时间 t
rr
I
F
=
−
1.2 一个, di/dt = 100 一个/
s 30 60
注释
一个. 有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试.
b. 脉冲波 测试; 脉冲波 宽度
300
s, 职责 循环
2%.