特性
TrenchFET
电源 场效应晶体管
Si9435BDY
vishay siliconix
新 产品
文档号码: 72245
s-32274—rev. b, 03-十一月-03
www.vishay.com
1
p-频道 30-v (d-s) 场效应晶体管
产品SUMMARY
V
DS
(v) r
ds(在)
(
) I
D
(一个)
0.042 @ v
GS
=
−
10 v
−
5.7
−
30
0.055 @ v
GS
=
−
6 v
−
5.0
0.070 @ v
GS
=
−
4.5 v
−
4.4
SD
S
D
SD
G
D
所以-8
5
6
7
8
顶 视图
2
3
4
1
S
G
D
p-频道 场效应晶体管
订货 信息: Si9435BDY
si9435bdy-t1 (和 tape 和 卷轴)
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 10 secs 稳步的 状态 单位
流-源 电压 V
DS
−
30
V
门-源 电压 V
GS
20
V
持续的 流 电流
(t
J
=150
c)
一个
T
一个
= 25
C
I
D
−
5.7
−
4.1
Continuous dra在Current
(t
J
=150
c)
一个
T
一个
= 70
C
I
D
−
4.6
−
3.2
一个
搏动 流 电流 I
DM
−
30
一个
持续的 源 电流 (二极管 传导)
一个
I
S
−
2.3
−
1.1
最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 25
C
P
D
2.5 1.3
W最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 70
C
P
D
1.6 0.8
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
−
55 至 150
C
热的阻抗比率
参数 标识 典型 最大 单位
Mi J 德州仪器 tAbit
一个
t
10 秒
R
40 50
最大 接合面-至-包围的
一个
稳步的 状态
R
thJA
70 95
c/w
最大 接合面-至-foot (流) 稳步的 状态 R
thJF
24 30
c/w
注释
一个. 表面 挂载 在 1” x 1” fr4 板.
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