首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:395401
 
资料名称:SI9953DY
 
文件大小: 48.96K
   
说明
 
介绍:
Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
 
 


: 点此下载
  浏览型号SI9953DY的Datasheet PDF文件第1页
1
浏览型号SI9953DY的Datasheet PDF文件第2页
2
浏览型号SI9953DY的Datasheet PDF文件第3页
3

4
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si9953DY
vishay siliconix
www.vishay.com
faxback 408-970-5600
4
文档 号码: 70138
s-00652—rev. k, 27-三月-00
  
  
源-流 二极管 向前 电压 在-阻抗 vs. 门-至-源 电压
门槛 电压 单独的 脉冲波 电源
normalized 热的 瞬时 阻抗, 接合面-至-包围的
正方形的 波 脉冲波 持续时间 (秒)
normalized 有效的 瞬时
热的 阻抗
– 在-阻抗 (r
ds(在)
)
V
SD
– 源-至-流 电压 (v) V
GS
– 门-至-源 电压 (v)
– 源 电流 (一个)i
S
T
J
– 温度 (
c)
0.010
0
25
30
5
15
20
0.100 1 30
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0246810
–0.4
–0.2
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
–50 –25 0 25 50 75 100 125 150
T
J
= 150
C
T
J
= 25
C
I
D
= 2.3 一个
0.2 0.4
20
0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
2
1
0.1
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
11030
职责 循环 = 0.5
0.2
0.1
0.05
单独的 脉冲波
0.02
1. 职责 循环, d =
2. 每 单位 根基 = r
thJA
= 62.5
c/w
3. t
JM
– t
一个
= p
DM
Z
thJA
(t)
t
1
t
2
t
1
t
2
注释:
4. 表面 挂载
P
DM
1
variance (v)v
gs(th)
1.6
10
10
I
D
= 250
µ
一个
10
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com