Si9953DY
vishay siliconix
文档 号码: 70138
s-00652—rev. k, 27-三月-00
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1
双 p-频道 20-v (d-s) 场效应晶体管
V
DS
(v) r
ds(在)
(
) I
D
(一个)
–20
0.25 @ v
GS
= –10 v
2.3
–20
0.40 @ v
GS
= –4.5 v
1.5
S
1
D
1
G
1
D
1
S
2
D
2
G
2
D
2
所以-8
5
6
7
8
顶 视图
2
3
4
1
S
1
G
1
D
1
D
1
p-频道 场效应晶体管
S
2
G
2
D
2
D
2
p-频道 场效应晶体管
参数 标识 限制 单位
流-源 电压 V
DS
–20
V
门-源 电压 V
GS
20
V
持续的 流 电流
(t
J
=150
c)
一个
T
一个
= 25
C
I
D
2.3
一个
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
一个
T
一个
= 70
C
I
D
1.8
一个
搏动 流 电流 I
DM
10
一个
持续的 源 电流 (二极管 传导)
一个
I
S
–1.7
最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 25
C
P
D
2.0
wmaximum 电源 消耗
一个
T
一个
= 70
C
P
D
1.3
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
–55 至 150
C
参数 标识 限制 单位
最大 接合面-至-包围的
一个
R
thJA
62.5
c/w
注释
一个. 表面 挂载 在 fr4 板, t
10 秒.
为 额外的刺激 模型 信息 通过 这 worldwide 网: http://www.vishay.com/www/产品/额外的刺激.htm
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