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资料编号:396776
 
资料名称:IRFIB5N65A
 
文件大小: 103.13K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET(Vdss=650V, Rds(on)max=0.93ohm, Id=5.1A)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRFIB5N65A
4 www.irf.com
图 8.
最大 safe 运行 范围
图 6.
典型 门 承担 vs.
门-至-源 电压
图 5.
典型 电容 vs.
流-至-源 电压
图 7.
典型 源-流 二极管
向前 电压
0 10 20 30 40 50
0
4
8
12
16
20
q , 总的 门 承担 (nc)
v , 门-至-源 电压 (v)
G
GS
为 测试 电路
看 图示
I =
D
13
5.2a
V =130V
DS
V =325V
DS
V =520V
DS
0.1
1
10
100
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
v ,源-至-流 电压 (v)
i , 反转 流 电流 (一个)
SD
SD
v = 0 v
GS
t = 25 c
J
°
t = 150 c
J
°
0.1
1
10
100
10 100 1000 10000
运作 在 这个 范围 限制
用 r
ds(在)
单独的 脉冲波
T
T
= 150 c
= 25 c
°
°
J
C
v , 流-至-源 voltage (v)
i , 流 电流 (一个)i , 流 电流 (一个)
DS
D
10us
100us
1ms
10ms
400V
0
400
800
1200
1600
2000
1 10 100 1000
C, 电容 (pf)
DS
V, drain-至-source voltage (v)
一个
V= 0V, f = 1MHz
c =C+C, cSHORTED
c =C
c =C+C
GS
s
gs gdds
rss
gd
oss ds
gd
C
s
C
oss
C
rss
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