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IRFIB5N65A
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smps 场效应晶体管
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
转变 模式 电源 供应 (smps)
uninterruptible 电源 供应
高 速 电源 切换
高 电压 分开 = 2.5kvrms
益处
产品
低 门 承担 qg 结果 在 简单的
驱动 必要条件
改进 门, avalanche 和 动态
dv/dt 强壮
全部地 典型 电容 和
avalanche 电压 和 电流
V
DSS
R
ds(在)
最大值 I
D
650V 0.93
Ω
5.1a
典型 smps topologies
单独的 晶体管 flyback
注释
通过
是 在 页 8
单独的 晶体管 向前
参数 最大值 单位
I
D
@ t
C
= 25°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 5.1
I
D
@ t
C
= 100°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 3.2 一个
I
DM
搏动 流 电流
21
P
D
@T
C
= 25°c 电源 消耗 60 W
直线的 减额 因素 0.48 w/°c
V
GS
门-至-源 电压 ± 30 V
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt
2.8 v/ns
T
J
运行 接合面 和 -55 至 + 150
T
STG
存储 温度 范围
焊接 温度, 为 10 秒 300 (1.6mm 从 情况 )
°C
挂载 torqe, 6-32 或者 m3 screw 10lbf•in (1.1n•m)
绝对 最大 比率
6/21/00
SDG
至-220 全部-pak
pd-91816b
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