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资料编号:396842
 
资料名称:IRG4IBC30S
 
文件大小: 126.17K
   
说明
 
介绍:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
 
 


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IRG4IBC30S
8 www.irf.com
含铅的 assignments
1 - g 一个T E
2 - d R一个
3 - s OU R CE
注释:
1 dimensioning &放大; tolerancing
P E R 一个NSi y14.5m , 1982
2 controlling 维度: inch.
D
C
一个
B
Minimum creepage
距离 betw EEN
一个-b-c-d = 4.80(.189)
3X
2.85( .112 )
2.65 (.104 )
2.80 (.110)
2.60( .1 02 )
4.80( .189 )
4.60 (.181 )
7.10(.280)
6.70(.263)
3.40(.133 )
3.10 (.123 )
ø
- 一个 -
3.70
(.145 )
3.20 (.126 )
1.15 (.045)
M.
3.30( .130 )
3.10 (.122 )
- b -
0.90( .035 )
0.70 ( .028 )
3X
0.25(.010)
M
一个M B
2.54(.100)
2X
3X
13.70(.540)
13.50(.530)
16.00(.630)
15.80(.622)
1 2 3
10.60(.417)
10.40(.409)
1.40(.055 )
1.05 (.042 )
0.48 (.019 )
0.44 (.017 )
至-220 全部-pak 包装 外形
数据 和 规格 主题 至 改变 没有 注意.
这个 产品 有 被 设计 和 qualified 为 这 工业的 market.
资格 standards 能 是 建立 在 ir
s 网 站点.
ir world 总部:
233 kansas st., el segundo, 加利福尼亚 90245, usa 电话: (310) 252-7105
tac 传真: (310) 252-7903
visit 美国 在 www.irf.com 为 销售 联系 信息
.
08/01
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