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资料编号:396842
 
资料名称:IRG4IBC30S
 
文件大小: 126.17K
   
说明
 
介绍:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRG4IBC30S
www.irf.com 5
图. 7 -
典型 电容 vs.
集电级-至-发射级 电压
图. 8
- 典型 门 承担 vs.
门-至-发射级 电压
图. 9
- 典型 切换 losses vs. 门
阻抗
图. 10
- 典型 切换 losses vs.
接合面 温度
R
G
, 门 阻抗
(
Ω)
10
1 10 100
0
500
1000
1500
2000
v , 集电级-至-发射级 电压 (v)
c, 电容 (pf)
CE
V
C
C
C
=
=
=
=
0v,
C
C
C
f = 1mhz
+ c
+ c
c 短接
GE
ies ge gc , ce
res gc
oes ce gc
C
ies
C
oes
C
res
0 10 20 30 40 50 60
0
4
8
12
16
20
q , 总的 门 承担 (nc)
v , 门-至-发射级 电压 (v)
G
GE
V = 400v
I = 18A
CC
C
0 10 20 30 40 50
3.60
3.64
3.68
3.72
3.76
3.80
r , 门 阻抗 (ohm)
总的 切换 losses (mj)
G
v = 480v
v = 15v
t = 25 c
i = 18a
CC
GE
J
C
°
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
0.1
1
10
100
t , 接合面 温度 ( c )
总的 切换 losses (mj)
J
°
r = 23ohm
v = 15v
v = 480v
G
GE
CC
i = 一个
36
C
i = 一个
18
C
i = 一个
9
C
9.0 一个
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