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资料编号:396847
 
资料名称:IRG4IBC20UD
 
文件大小: 230.8K
   
说明
 
介绍:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
 
 


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IRG4IBC20UD
2 www.irf.com
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
Q
g
总的 门 承担 (转变-在)
–––
27 41 I
C
= 6.5a
Qge 门 - 发射级 承担 (转变-在)
–––
4.5 6.8 nC V
CC
= 400v 看 图. 8
Q
gc
门 - 集电级 承担 (转变-在)
–––
10 16 V
GE
= 15v
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
–––
39
–––
T
J
= 25
°
C
t
r
上升 时间
–––
15
–––
ns I
C
= 6.5a, v
CC
= 480v
t
d(止)
转变-止 延迟 时间
–––
93 140 V
GE
= 15v, r
G
= 50
t
f
下降 时间
–––
110 170 活力 losses 包含 "tail" 和
E
转变-在 切换 丧失
–––
0.16
–––
二极管 反转 恢复.
E
转变-止 切换 丧失
–––
0.13
–––
mJ 看 图. 9, 10, 11, 18
E
ts
总的 切换 丧失
–––
0.29 0.3
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
–––
38
–––
T
J
= 150
°
c, 看 图. 9, 10, 11, 18
t
r
上升 时间
–––
17
–––
ns I
C
= 6.5a, v
CC
= 480v
t
d(止)
转变-止 延迟 时间
–––
100
–––
V
GE
= 15v, r
G
= 50
t
f
下降 时间
–––
220
–––
活力 losses 包含 "tail" 和
E
ts
总的 切换 丧失
–––
0.49
–––
mJ 二极管 反转 恢复.
L
E
内部的 发射级 电感
–––
7.5
–––
nH 量过的 5mm 从 包装
C
ies
输入 电容
–––
530
–––
V
GE
= 0v
C
oes
输出 电容
–––
39
–––
pF V
CC
= 30v 看 图. 7
C
res
反转 转移 电容
–––
7.4
––– ƒ
= 1.0mhz
t
rr
二极管 反转 恢复 时间
–––
37 55 ns T
J
= 25
°
c 看 图.
–––
55 90 T
J
= 125
°
c 14 i
F
= 8.0a
I
rr
二极管 顶峰 反转 恢复 电流
–––
3.5 5.0 一个 T
J
= 25
°
c 看 图.
–––
4.5 8.0 T
J
= 125
°
c 15 v
R
= 200v
Q
rr
二极管 反转 恢复 承担
–––
65 138 nC T
J
= 25
°
c 看 图.
–––
124 360 T
J
= 125
°
c 16 di/dt 200a/µs
di
(rec)m
/dt 二极管 顶峰 比率 的 下降 的 恢复
–––
240
–––
一个/µs T
J
= 25
°
c 看 图.
在 t
b
–––
210
–––
T
J
= 125
°
c 17
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
V
(br)ces
集电级-至-发射级 损坏 电压
600
––– –––
VV
GE
= 0v, i
C
= 250µa
V
(br)ces
/
T
J
温度 coeff. 的 损坏 电压
–––
0.69
–––
v/
°
CV
GE
= 0v, i
C
= 1.0ma
V
ce(在)
集电级-至-发射级 饱和 电压
–––
1.85 2.1 I
C
= 6.5a V
GE
= 15v
–––
2.27
–––
VI
C
= 13a 看 图. 2, 5
–––
1.87
–––
I
C
= 6.5a, t
J
= 150
°
C
V
ge(th)
门 门槛 电压 3.0
–––
6.0 V
CE
= v
GE
, i
C
= 250µa
V
ge(th)
/
T
J
温度 coeff. 的 门槛 电压
–––
-11
–––
mv/
°
CV
CE
= v
GE
, i
C
= 250µa
g
fe
向前 跨导

1.4 4.3
–––
SV
CE
= 100v, i
C
= 6.5a
I
CES
零 门 电压 集电级 电流
––– –––
250 µA V
GE
= 0v, v
CE
= 600v
––– –––
1700 V
GE
= 0v, v
CE
= 600v, t
J
= 150
°
C
V
FM
二极管 向前 电压 漏出
–––
1.4 1.7 V I
C
= 8.0a 看 图. 13
–––
1.3 1.6 I
C
= 8.0a, t
J
= 150
°
C
I
GES
门-至-发射级 泄漏 电流
––– –––
±100 nA V
GE
= ±20v
切换 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
电的 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
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