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IRG4IBC20UD
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图. 7 -
典型 电容 vs.
集电级-至-发射级 电压
图. 8
- 典型 门 承担 vs.
门-至-发射级 电压
图. 9
- 典型 切换 losses vs. 门
阻抗
图. 10
- 典型 切换 losses vs.
接合面 温度
0
200
400
600
800
1000
1 10 100
CE
c, 电容 (pf)
V, collec至r-至-em itter voltag e (v)
一个
V=0V,         f =1MHz
C=C+ c,   cSHORTED
C=C
C=C+ c
GE
iesgegcce
resgc
oescegc
C
ies
C
res
C
oes
0
4
8
12
16
20
0 5 10 15 20 25 30
GE
V, g 一个te-至-emitter voltage (v)
g
Q , total g 一个teCh一个rg e (nc)
一个
v      = 400v
i      =6.5一个
CE
C
0.1
1
10
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
至tal switching losses (mj)
一个
t  , 接合面 temperature(
°
C )
J
i    =13一个
i    =6.5一个
i    = 3.3一个
R= 50
Ω
V=15V
v      = 480v
C
C
C
G
GE
CC
0.29
0.30
0.31
0.32
0 102030405060
G
总的 切换 losses (mj)
一个
v      = 480v
V=15V
t      =25
°
C
i      = 6.5a
R, gate resistance(
Ω
)
CC
GE
J
C

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IRG4IBC20UD www.irf.com 5 图. 7 - 典型电容 vs. 集电级-至-发射级电压图. 8 - 典型门承担 vs. 门-至-发射级电压图. 9 - 典型切换 losses vs. 门阻抗图. 10 - 典型切换 losses vs. 接合面温度 0 200 400 600 800 1000 1 10 100 CE c, 电容 (pf) V, collec至r-至-em itter voltag e (v) 一个 V=0V, f =1MHz C=C+ c, cSHORTED C=C C=C+ c GE iesgegcce resgc oescegc C ies C res C oes 0 4 8 12 16 20 0 5 10 15 20 25 30 GE V, g 一个te-至-emitter voltage (v) g Q , total g 一个teCh一个rg e (nc) 一个 v = 400v i =6.5一个 CE C 0.1 1 10 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 至tal switching losses (mj) 一个 t , 接合面 temperature( ° C ) J i =13一个 i =6.5一个 i = 3.3一个 R= 50 Ω V=15V v = 480v C C C G GE CC 0.29 0.30 0.31 0.32 0 102030405060 G 总的切换 losses (mj) 一个 v = 480v V=15V t =25 ° C i = 6.5a R, gate resistance( Ω ) CC GE J C

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