数据 薄板
16 mbit multi-目的 flash
sst39lf160 / sst39vf160
3
©2001 硅 存储 技术, 公司 s71145-02-000 6/01 399
data# polling (dq
7
)
当 这 sst39lf/vf160 是 在 这 内部的 程序
运作, 任何 attempt 至 读 dq
7
将 生产 这 com-
plement 的 这 真实 数据. once 这 程序 运作 是
完成, dq
7
将 生产 真实 数据. 这 设备 是 然后
准备好 为 这 next 运作. 在 内部的 擦掉 opera-
tion, 任何 attempt 至 读 dq
7
将 生产 一个
‘
0
’
. once 这
内部的 擦掉 运作 是 完成, dq
7
将 生产 一个
‘
1
’
. 这 data# polling 是 有效的 之后 这 rising 边缘 的 fourth
we# (或者 ce#) 脉冲波 为 程序 运作. 为 sector-,
块- 或者 碎片-擦掉, 这 data# polling 是 有效的 之后 这 ris-
ing 边缘 的 sixth we# (或者 ce#) 脉冲波. 看 图示 5 为
data# polling 定时 图解 和 图示 16 为 一个 flowchart.
toggle 位 (dq
6
)
在 这 内部的 程序 或者 擦掉 运作, 任何 con-
secutive attempts 至 读 dq
6
将 生产 alternating 1s
和 0s, i.e., toggling 在 1 和 0. 当 这 内部的
程序 或者 擦掉 运作 是 完成, 这 dq
6
位 将
停止 toggling. 这 设备 是 然后 准备好 为 这 next opera-
tion. 这 toggle 位 是 有效的 之后 这 rising 边缘 的 fourth
we# (或者 ce#) 脉冲波 为 程序 运作. 为 sector-,
块- 或者 碎片-擦掉, 这 toggle 位 是 有效的 之后 这 rising
边缘 的 sixth we# (或者 ce#) 脉冲波. 看 图示 6 为 toggle
位 定时 图解 和 图示 16 为 一个 flowchart.
数据 保护
这 sst39lf/vf160 提供 两个都 硬件 和 软件
特性 至 保护 nonvolatile 数据 从 inadvertent 写.
硬件 数据 保护
噪音/glitch 保护:一个 we# 或者 ce# 脉冲波 的 较少 比 5
ns 将 不 initiate 一个 写 循环.
V
DD
电源 向上/向下 发现:这 写 运作 是
inhibited 当 v
DD
是 较少 比 1.5v.
写 inhibit 模式:
forcing oe# 低, ce# 高, 或者 we#
高 将 inhibit 这 写 运作. 这个 阻止 inadvert-
ent 写 在 电源-向上 或者 电源-向下.
软件 数据 保护 (sdp)
这 sst39lf/vf160 提供 这 电子元件工业联合会 批准 软-
ware 数据 保护 scheme 为 所有 数据 改变 opera-
tions, i.e., 程序 和 擦掉. 任何 程序 运作
需要 这 包括 的 这 三-字节 sequence. 这
三-字节 加载 sequence 是 使用 至 initiate 这 程序
运作, 供应 最优的 保护 从 inadvertent
写 行动, e.g., 在 这 系统 电源-向上 或者
电源-向下. 任何 擦掉 运作 需要 这 包括 的
六-字节 sequence. 这些 设备 是 运输 和 这
软件 数据 保护 permanently 使能. 看 表格
4 为 这 明确的 软件 command 代号. 在 sdp
command sequence, invalid commands 将 abort 这
设备 至 读 模式 在里面 t
RC
. 这 内容 的 dq
15
-dq
8
能 是 v
IL
或者 v
IH
, 但是 非 其它 值, 在 任何 sdp com-
mand sequence.
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