半导体 组 4–2
.1 1 10 100
0.0
0.5
1.0
1.5
vce = 5 v
vce = 0.4 v
nctrce - normalized ctrce
normalized 至:
vce = 10 v
如果 = 10 毫安
ta = 25
°
C
如果 - led 电流 - 毫安
图示 2. normalized 非-saturated 和
saturated ctrce 相比 led 电流
图示 1. 向前 电压 相比 向前 电流
100101.1
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
如果 - 向前 电流 - 毫安
vf - 向前 电压 - v
ta = -55
°
C
ta = 25
°
C
ta = 85
°
C
1 10 100 1000
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
25
°
C
50
°
C
70
°
C
ib - 根基 电流 -
µ
一个
nhfe(sat) - normalized
saturated hfe
normalized 至:
ib = 20
µ
一个
vce = 10
V
ta = 25
°
C
vce = 0.4 v
图示 8. normalized saturated hfe 相比
根基 电流 和 温度
图示 7. 集电级-发射级 泄漏 电流
相比 温度
100806040200-20
10
10
10
10
10
10
10
10
-2
-1
0
1
2
3
4
5
ta - 包围的 温度 -
°
C
iceo - 集电级-发射级 - na
典型
vce = 10v
图示 3. 集电级-发射级 电流 相比
led 电流
图示 4. normalized 集电级-根基 photocurrent
相比 led 电流
图示 6. 集电级-根基 photocurrent 相比
led 电流
图示 5. normalized 集电级-根基 photocurrent
相比 led 电流
.1 1 10 100
0
50
100
150
vce = 0.4 v
vce = 10 v
如果 - led 电流 - 毫安
ice - 集电级-发射级
电流 - 毫安
ta = 25
°
C
.1110100
.1
1
10
100
1000
如果 - led 电流 -毫安
icb - collector-根基
电流 -
µ
一个
ta = 25
°
C
vcb = 9.3 v
.1 1 10 100
.1
1
10
100
If - led current -毫安
nicb - normalized icb
normalized 至:
vcb = 9.3 v
如果 = 1 毫安
ta = 25
°
C
.1 1 10 100
.01
.1
1
10
normalized 至:
vcb = 9.3 v
如果 = 10 毫安
ta = 25
°
C
如果 - led 电流 - 毫安
nicb - normalized icb
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