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资料编号:402857
 
资料名称:IL207AT
 
文件大小: 87.29K
   
说明
 
介绍:
PHOTOTRANSISTOR SMALL OUTLINE SURFACE MOUNT OPTOCOUPLER
 
 


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1
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2
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3
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
半导体 组 4–1
包装 维度 在 英寸 (mm)
特性
(t
一个
=25
°
c)
标识 最小值 典型值 最大值 单位 情况
发射级
向前 电压 V
F
1.3 1.5 V I
F
=10 毫安
反转 电流 I
R
0.1 100
µ
AV
R
=6.0 v
电容 C
O
25 pF V
R
=0
探测器
损坏 电压
集电级-发射级 BV
CEO
70 V I
C
=100
µ
一个
发射级-集电级 BV
ECO
710 V I
E
=100
µ
一个
集电级-发射级 V
CE
=10 v,
dark 电流 I
CEOdark
550nA I
F
=0
集电级-发射级
电容 C
CE
10 pF V
CE
=0
包装
直流 电流 转移 CTR
直流
%I
F
=10 毫安,
V
CE
=5 v
IL205AT 40 80
IL206AT 63 125
IL207AT 100 200
IL208AT 160 320
直流 电流 转移 CTR
直流
%I
F
V
CE
=5 v
IL205AT 13 25
IL206AT 22 40
IL207AT 34 60
IL208AT 56 95
集电级-发射级 I
C
=2.0 毫安,
饱和 电压 V
CE sat
0.4 I
F
=10 毫安
分开 测试 电压 V
IO
2500 VAC
RMS
相等的 直流
分开 电压 3535 VDC
电容,
输入 至 输出 C
IO
0.5 pF
阻抗,
输入 至 输出 R
IO
100 G
切换 时间 t
,
t
3.0
µ
sI
C
R
E
=100
Ω,
V
CE
=10 v
规格 主题 至 改变.
容忍:
±
.005 (除非 否则 指出)
特性
高 电流 转移 比率, i
F
=10ma,
V
CE
=5 v
il205at, 40 – 80%
il206at, 63 –125%
il207at, 100 – 200%
il208at, 160 – 320%
高 bv
CEO
, 70 v
分开 电压, 2500 vac
RMS
工业 标准 soic-8 表面
mountable 包装
标准 含铅的 间隔, .05"
有 在 录音带 和 卷轴 (后缀 t)
(遵从 至 eia 标准 rs481a)
兼容 和 双 波, vapor 阶段
和 ir 软熔焊接 焊接
underwriters lab 文件 #e52744
(代号 letter p)
描述
这 il205at/206at/207at/208at 是 optically
结合 pairs 和 一个 镓 砷化物 infrared led
和 一个 硅 npn phototransistor. 信号 信息,
包含 一个 直流 水平的, 能 是 transmitted 用 这
设备 当 维持 一个 高 程度 的 电的
分开 在 输入 和 输出. 这 il205/6/7/8
来到 在 一个 标准 soic-8 小 外形 包装
为 表面 挂载 这个 制造 它们 ideally
suited 为 高 密度 产品 和 限制
空间. 在 增加 至 eliminating 通过-孔
(所需的)东西, 这个 包装 遵从 至 standards
为 表面 挂载 设备.
一个 指定 最小 和 最大 ctr 准许 一个
narrow 容忍 在 这 电的 设计 的 这
调整 电路. 这 高 bv
CEO
的 70 伏特 给
一个 高等级的 安全 余裕 对照的 至 这 工业
标准 30 伏特.
最大 比率
发射级
顶峰 反转 电压 ....................................... 6.0 v
持续的 向前 电流 .......................... 60 毫安
电源 消耗 在 25
°
C ............................. 90 mw
减额 成直线地 从 25
°
C ....................... 1.2 mw/
°
C
探测器
集电级-发射级 损坏 电压 ................ 70 v
发射级-集电级 损坏 电压 .................. 7 v
集电级-根基 损坏 电压 ................... 70 v
电源 消耗 ........................................ 150 mw
减额 成直线地 从 25
°
C ....................... 2.0 mw/
°
C
包装
总的 包装 消耗 在 25
°
c 包围的
(led + 探测器) ...................................... 240 mw
减额 成直线地 从 25
°
C ....................... 3.3 mw/
°
C
存储 温度 .....................–55
°
c 至 +150
°
C
运行 温度 .................–55
°
c 至 +100
°
C
焊接 时间 在 260
°
C ............................... 10 秒.
40
°
.240
(6.10)
.154
±
.005
(3.91
±
.13)
.050 (1.27)
典型值
.016 (.41)
.192
±
.005
(4.88
±
.13)
.004 (.10)
.008 (.20)
含铅的
Coplanarity
±
.0015 (.04)
最大值
.015
±
.002
(.38
±
.05)
.008 (.20)
7
°
.058
±
.005
(1.49
±
.13)
.125
±
.005
(3.18
±
.13)
管脚 一个 id
.120
±
.005
(3.05
±
.13)
C
L
.021 (.53)
5
°
最大值
r.010
(.25) 最大值
.020
±
.004
(.15
±
.10)
2 plcs.
1
2
3
4
Anode
Cathode
NC
NC
8
7
6
5
NC
根基
集电级
发射级
il205at/206at/207at/
208AT
PHOTOTRANSISTOR
小 外形
表面 挂载 optocoupler
10.95
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