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文档 号码 83653
rev. 1.3, 26-apr-04
VISHAY
ild620/ 620gb / ilq620/ 620gb
vishay 半导体
绝对 最大 比率
T
amb
= 25 °c, 除非 否则 指定
压力 在 excess 的 这 绝对 最大 比率 能 cause 永久的 损坏 至 这 设备. 函数的 运作 的 这 设备是
不 暗指 在 这些 或者 任何 其它 情况 在 excess 的 those 给 在 这 运算的 sections 的 这个 文档. 暴露 至绝对
最大 比率 为 扩展 时期 的 这 时间 能 反而 影响 可靠性.
输入
输出
Coupler
参数 测试 情况 标识 Value 单位
向前 电流 I
F
± 60 毫安
surge 电流 I
FSM
± 1.5 一个
电源 消耗 P
diss
100 mW
减额 成直线地 从 25 °C 1.3 mw/°c
参数 测试 情况 标识 Value 单位
集电级-发射级 损坏
电压
BV
CEO
70 V
集电级 电流 I
C
50 毫安
t < 1.0 秒: I
C
100 毫安
电源 消耗 P
diss
150 mW
减额 从 25 °C 2.0 mw/°c
参数 测试 情况 Part 标识 Value 单位
分开 测试 电压 t = 1.0 秒. V
ISO
5300 V
RMS
包装 消耗 ILD620 400 mW
ILD620GB 400 mW
减额 从 25 °C 5.33 mw/°c
包装 消耗 ILQ620 500 mW
ILQ620GB 500 mW
减额 从 25 °C 6.67 mw/°c
Creepage
≥
7.0 mm
Clearance
≥
7.0 mm
分开 阻抗 V
IO
= 500 v, t
amb
= 25 °C R
IO
≥
10
12
Ω
V
IO
= 500 v, t
amb
= 100 °C R
IO
≥
10
11
Ω
存储 温度 T
stg
- 55 至 + 150 °C
运行 温度 T
amb
- 55 至 + 100 °C
接合面 温度 T
j
100 °C
焊接 温度 2.0 mm 从 情况 bottom T
sld
260 °C
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