VISHAY
ild620/ 620gb / ilq620/ 620gb
文档 号码 83653
rev. 1.3, 26-apr-04
vishay 半导体
www.vishay.com
3
电的 特性
T
amb
= 25 °c, 除非 否则 指定
最小 和 最大 值 是 测试 (所需的)东西. 典型 values 是 特性 的 the 设备 和 是 这 结果 的 engineering
evaluation. 典型 值 是 为 信息 仅有的 和 是 不 部分 的 这 测试 (所需的)东西.
输入
输出
Coupler
电流 转移 比率
参数 测试 情况 标识 最小值 Typ. 最大值 单位
向前 电压 I
F
= ± 10 毫安 V
F
1.0 1.15 1.3 V
向前 电流 V
R
= ± 0.7 v I
F
2.5 20
µ
一个
电容 V
F
= 0 v, f = 1.0 mhz C
O
25 pF
热的 阻抗, 接合面 至
含铅的
R
THJL
750 k/w
参数 测试 情况 标识 最小值 Typ. 最大值 单位
集电级-发射级 电容 V
CE
= 5.0 v, f = 1.0 mhz C
CE
6.8 pF
集电级-发射级 泄漏
电流
V
CE
= 24 v I
CEO
10 100 nA
T
一个
= 85 °c, v
CE
= 24 v I
CEO
2.0 50
µ
一个
热的 阻抗, 接合面 至
含铅的
R
THJL
500 k/w
参数 测试 情况 Part 标识 最小值 Typ. 最大值 单位
止-状态 集电级 电流 V
F
= ± 0.7 v, v
CE
= 24 v I
ce(止)
1.0 10
µ
一个
集电级-发射级 饱和
电压
I
F
= ± 8.0 毫安, i
CE
= 2.4 毫安 ILD620 V
CEsat
0.4 V
ILQ620 V
CEsat
0.4 V
I
F
= ± 1.0 毫安, i
CE
= 0.2 毫安 ILD620GB V
CEsat
0.4 V
ILQ620GB V
CEsat
0.4 V
参数 测试 情况 Part 标识 最小值 Typ. 最大值 单位
频道/频道 ctr 相一致 I
F
= ± 5.0 毫安, v
CE
= 5.0 v ctrx/ctry 1 至 1 3 至 1
ctr 对称 I
CE
(i
F
= - 5.0 毫安)/
I
CE
(i
F
= + 5.0 毫安)
I
ce(比率)
0.5 2.0
电流 转移 比率
(集电级-发射级 saturated)
I
F
= ± 1.0 毫安, v
CE
= 0.4 v ILD620 CTR
CEsat
60 %
ILQ620 CTR
CEsat
60 %
电流 转移 比率
(集电级-发射级)
I
F
= ± 5.0 毫安, v
CE
= 5.0 v ILD620 CTR
CE
50 80 600 %
ILQ620 CTR
CE
50 80 600 %
电流 转移 比率
(集电级-发射级 saturated)
I
F
= ± 1.0 毫安, v
CE
= 0.4 v ILD620GB CTR
CEsat
30 %
ILQ620GB CTR
CEsat
30 %
电流 转移 比率
(集电级-发射级)
I
F
= ± 5.0 毫安, v
CE
= 5.0 v ILD620GB CTR
CE
100 200 600 %
ILQ620GB CTR
CE
100 200 600 %
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