ips511g/ips512g
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含铅的 assignments
部分 号码
8 含铅的 soic
IPS511G
IPS512G
1
地 在 dg 输出
vcc vcc vcc vcc
16 含铅的 soic
1
in1 gnd1 vcc vcc vcc vcc out2 dg2
dg1 out1 vcc vcc vcc vcc gnd2 in2
标识 参数 最小值 典型值 最大值 单位 Test情况
s
I
lim
内部的 电流 限制
357AV
输出
= 0v
T
sd+
在-温度 积极的 going 门槛
— 165 —
o
C 看 图. 2
T
sd-
在-温度 负的 going 门槛 —
158
—
o
C
看 图. 2
V
sc
短的-电路 发现 电压 (3) 2 3 4 V 看 图. 2
V
打开 加载
打开 加载 发现 门槛 2 3 4 V
保护 特性
(3) 关联 至 v
cc
切换 电的 特性
V
cc
= 14v, resistive 加载 = 5.6
Ω
, t
j
= 25
o
c, (除非 否则 指定).
标识 参数 最小值 典型值 最大值 单位 Test 情况
T
don
转变-在 延迟 时间
—
7
50
T
r1
上升 时间 至 v
输出
= v
cc
- 5v
—
10
50
T
r2
上升 时间 从 这 终止 的 tr1 至
V
输出
= 90% 的 v
cc
—
45
95
d
v/dt (在)
转变 在 d
v/dt
—
1.3
4
v/
µ
s
E
在
转变 在 活力
—
400
—
µ
J
T
doff
转变-止 延迟 时间
—
15
50
T
f
下降 时间 至 v
输出
= 10% 的 v
cc
—
10
50
d
v/dt (止)
转变 止 d
v/dt
—
2
6
v/
µ
s
E
止
转变 止 活力
—
80
—
µ
J
T
diag
V
输出
至 v
diag
传播 延迟 — 5 15
µ
s
看 图示 3
µ
s
µ
s
看 图示 4
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