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资料编号:406823
 
资料名称:IR2105S
 
文件大小: 134.88K
   
说明
 
介绍:
High Voltage, High Speed Power MOSFET and IGBT Driver
 
 


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11
IR2105
www.irf.com
vcc 供应 电压 (v)
图示 19a. 逻辑 "1" 输入 电流
vs 温度
图示 19b. 逻辑 "1" 输入 电流
vs 电压
图示 21a. vcc 欠压 门槛(+)
vs 温度
图示 21b. vcc undervoltagethreshold (-)
vs 温度
图示 20a. 逻辑 "0" 输入 电流 vs
温度
图示 20b. 逻辑 "0" 输入 电流 vs 电压
逻辑 “1” 输入 电流 (
µ
一个)
温度 (
o
c)
温度 (
o
c)
逻辑 “0” 输入 电流 (
µ
一个)
vcc uvlo 门槛 +(v)
逻辑 “1” 输入 电流 (
µ
一个)
逻辑 “0” 输入 电流 (
µ
一个)
0
1
2
3
4
5
10 12 14 16 18 20
毫安x .
vcc 供应 电压 (v)
vcc uvlo 门槛 -(v)
0
5
10
15
20
25
30
10 12 14 16 18 20
最大值.
Typ.
0
5
10
15
20
25
30
-50 -25 0 25 50 75 100 125
最大值 .
Ty p.
最大值
温度 (
o
c)
6
7
8
9
10
11
-50 -25 0 25 50 75 100 125
最小值.
最大值.
Ty p.
6
7
8
9
10
11
-50-25 0 25 50 75100125
毫安x .
Ty p.
最小值.
温度 (
o
c)
典型值
0
1
2
3
4
5
-50 -25 0 25 50 75 100 125
最大值 .
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