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资料编号:407446
 
资料名称:IRF3707ZPBF
 
文件大小: 276.61K
   
说明
 
介绍:
HEXFET Power MOSFET
 
 


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www.irf.com 3
图 4.
normalized 在-阻抗
vs. 温度
图 2.
典型 输出 特性
图 1.
典型 输出 特性
图 3.
典型 转移 特性
0.1 1 10
V
DS
, 流-至-源 电压 (v)
1
10
100
1000
I
D
,
D
r
一个
i
n
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
C
u
r
r
e
n
t
(
一个
)
VGS
10V
9.0v
7.0v
5.0v
4.5v
4.0v
3.5v
BOTTOM 3.0v
30µs 脉冲波 宽度
tj = 25°c
3.0v
0.1 1 10
V
DS
, 流-至-源 电压 (v)
1
10
100
1000
I
D
,
D
r
一个
i
n
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
C
u
r
r
e
n
t
(
一个
)
30µs 脉冲波 宽度
tj = 175°c
30V
VGS
10V
9.0v
7.0v
5.0v
4.5v
4.0v
3.5v
BOTTOM 3.0v
2 3 4 5 6 7 8
V
GS
, 门-至-源 电压 (v)
10.0
100
1000
I
D
,
D
r
一个
i
n
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
C
u
r
r
e
n
t
(
Α
)
T
J
= 25°c
T
J
= 175°c
V
DS
= 10v
30µs 脉冲波 宽度
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180
T
J
, 接合面 温度 (°c)
0.5
1.0
1.5
2.0
R
D
S
(
o
n
)
,
D
r
一个
i
n
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
O
n
R
e
s
i
s
t
一个
n
c
e
(
N
o
r
m
一个
l
i
z
e
d
)
I
D
= 42a
V
GS
= 10v
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