参数 最大值 单位
V
CES
集电级-至-发射级 电压 600 V
I
C
@ t
C
= 25°c 持续的 集电级 电流 16
I
C
@ t
C
= 100°c 持续的 集电级 电流 9.0
I
CM
搏动 集电级 电流
32 一个
I
LM
clamped inductive 加载 电流
32
I
F
@ t
C
= 100°c 二极管 持续的 向前 电流 7.0
I
FM
二极管 最大 向前 电流 32
t
sc
短的 电路 承受 时间 10 µs
V
GE
门-至-发射级 电压 ± 20 V
P
D
@ t
C
= 25°c 最大 电源 消耗 60
P
D
@ t
C
= 100°c 最大 电源 消耗 24
T
J
运行 接合面 和 -55 至 +150
T
STG
存储 温度 范围 °C
焊接 温度, 为 10 秒. 300 (0.063 在. (1.6mm) 从 情况)
挂载 torque, 6-32 或者 m3 screw. 10 lbf•in (1.1 n•m)
irg4bc20kd-s
insulated 门 双极 晶体管 和
ultrafast 软 恢复 二极管
FeaturesFeatures
FeaturesFeatures
特性
E
G
n-频道
C
V
CES
= 600v
V
ce(在) 典型值
=
2.27v
@V
GE
= 15v, i
C
= 9.0a
短的 电路 评估
ultrafast igbt
4/24/2000
•
短的 电路 评估 ultrafast: 优化 为
高 运行 发生率 >5.0 khz , 和 短的
电路 评估 至 10µs @ 125
°
c, v
GE
= 15v
•
一代 4 igbt 设计 提供 tighter
参数 分发 和 高等级的 效率 比
previous 一代
•
igbt co-packaged 和 hexfred
TM
ultrafast,
过激-软-恢复 反对-并行的 二极管 为 使用 在
桥 配置
•
工业 标准 d
2
pak 包装
益处
•
最新的 一代 4 igbts 提供 最高的 电源
密度 发动机 控制 可能.
•
HEXFRED
TM
二极管 优化 为 效能
和 igbts. 使减少到最低限度 恢复 特性
减少 噪音, emi 和 切换 losses.
•
这个 部分 替代 这 irgbc20kd2-s 和
irgbc20md2-s 产品.
•
为 hints 看 设计 tip 97003.
pd -91598a
绝对 最大 比率
W
2
d pak
参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
接合面-至-情况 - igbt
–––
2.1
R
θ
JC
接合面-至-情况 - 二极管 2.5
R
θ
CS
情况-至-下沉, flat, greased 表面 0.5
––– °
c/w
R
θ
JA
接合面-至-包围的 ( pcb 挂载,稳步的-状态)
–––
40
Wt 重量 1.44
–––
g
热的 阻抗
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