IRLMS6702_集成电路资料查询网

IRLMS6702
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R
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= 0.20
Ω
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
fifth 一代 hexfet
®
电源 mosfets 从
国际的 整流器 utilize 先进的 处理
技巧 至 达到 极其 低 在-阻抗
每 硅 范围.  这个 益处, 联合的 和 这 快
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HEXFET
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电源 mosfets 是 好 知道 为,
提供 这 设计者 和 一个 极其 效率高的 和
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电源 场效应晶体管 和 r
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IRLMS6702 V DSS = -20v R ds(在) = 0.20 Ω HEXFET ® 电源场效应晶体管 fifth 一代 hexfet ® 电源 mosfets 从国际的整流器 utilize 先进的处理技巧至达到极其低在-阻抗每硅范围. 这个益处, 联合的和这快切换速和加固设备设计那 HEXFET ® 电源 mosfets 是好知道为, 提供这设计者和一个极其效率高的和可依靠的设备为使用在一个宽多样性的产品. 这 micro6  包装和它的 customized 引线框架生产一个 hexfet ® 电源场效应晶体管和 r ds(在) 60% 较少比一个类似的大小 sot-23. 这个包装是完美的为产品在哪里打印电路板空间是在一个 premium. 它's 唯一的热的设计和 r ds(在) 减少使能一个电流-处理增加的 nearly 300% 对照的至这 sot-23.                                                                       顶视图 1 2 D G 一个 D D D S 3 4 5 6   θ           www.irf.com 1 Micro6  

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