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资料编号:408067
 
资料名称:IRLMS6702
 
文件大小: 200.75K
   
说明
 
介绍:
HEXFET Power MOSFET
 
 


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4 www.irf.com
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
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


0
100
200
300
400
1 10 100
c, 电容 (pf)
一个
DS
-v , drain-至-源 电压 (v)
v = 0v, f = 1mhz
c = c + c , c 短接
c = c
c = c + c
GS
iss gs gd ds
rss gd
oss ds gd
C
iss
C
oss
C
rss
0
2
4
6
8
10
0246810
G
GS
一个
-v , 门-至-源 电压 (v)
q , 总的 门 承担 (nc)
i = -1.6a
v = -16v
为 测试 电路
看 图示 9
D
DS
0.1
1
10
100
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.
4
t = 25°c
t = 150°c
J
J
v = 0v
GS
SD
SD
一个
-i , 反转 流 电流 (一个)
-v , 源-至-流 电压 (v)
0.1
1
10
100
1 10 100
运作 在 这个 范围 限制
用 r
ds(在)
t = 25°c
t = 150°c
单独的 脉冲波
一个
-i , 流 电流 (一个)
-v , drain-至-源 电压 (v)
DS
D
一个
J
100µs
1ms
10ms
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