irlr/u014n
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S
D
G
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
I
S
持续的 源 电流 场效应晶体管 标识
(身体 二极管)
––– –––
表明 这
I
SM
搏动 源 电流 integral 反转
(身体 二极管)
––– –––
p-n 接合面 二极管.
V
SD
二极管 向前 电压
––– –––
1.3 V T
J
= 25
°
c, i
S
= 6a, v
GS
= 0v
t
rr
反转 恢复 时间
–––
37 56 nS T
J
= 25
°
c, i
F
= 6a
Q
rr
反转 recoverycharge
–––
48 71 nC di/dt = 100a/µs
t
在
向前 转变-在 时间 intrinsic 转变-在 时间 是 negligible (转变-在 是 dominated 用 l
S
+L
D
)
源-流 比率 和 特性
10
40
一个
开始 t
J
= 25
°
c, l = 1.96mh
R
G
= 25
Ω
, i
作
= 6a. (看 图示 12)
repetitive 比率; 脉冲波 宽度 限制 用
最大值 接合面 温度. ( 看 图. 11 )
脉冲波 宽度
≤
300µs; 职责 循环
≤
2%.
这个 是 应用 为 i-pak, l
S
的 d-pak 是 量过的 在
含铅的 和 中心 的 消逝 联系
I
SD
≤
6.0a, di/dt
≤
210a/µs, v
DD
≤
V
(br)dss
,
T
J
≤
175
°
C
注释:
参数 最小值 典型值 最大值 单位 情况
V
(br)dss
流-至-源 损坏 电压 55
––– –––
VV
GS
= 0v, i
D
= 250µa
∆
V
(br)dss
/
∆
T
J
损坏 电压 温度 系数
–––
0.056
–––
v/
°
C 涉及 至 25
°
c, i
D
= 1ma
––– –––
0.14 V
GS
= 10v, i
D
= 6a
––– –––
0.21 V
GS
= 4.5v, i
D
= 5a
V
gs(th)
门 门槛 电压 1.0
––– –––
VV
DS
= v
GS
, i
D
= 250µa
g
fs
向前 跨导 3.1
––– –––
SV
DS
= 25v, i
D
= 6a
––– –––
25
µA
V
DS
= 55v, v
GS
= 0v
––– –––
250 V
DS
= 55v, v
GS
= 0v, t
J
= 150
°
C
门-至-源 向前 泄漏
––– –––
100
nA
V
GS
= 16v
门-至-源 反转 泄漏
––– –––
-100 V
GS
= -16v
Q
g
总的 门 承担
––– –––
7.9 I
D
= 6a
Q
gs
门-至-源 承担
––– –––
1.4 nC V
DS
= 44v
Q
gd
门-至-流 ("miller") 承担
––– –––
4.4 V
GS
= 5.0v, 看 图. 6 和 13
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
–––
6.5
–––
V
DD
= 28v
t
r
上升 时间
–––
47
–––
ns
I
D
= 6a
t
d(止)
转变-止 延迟 时间
–––
12
–––
R
G
= 6.2
Ω,
V
GS
= 5.0v
t
f
下降 时间
–––
23
–––
R
D
= 4.5
Ω,
看 图. 10
在 含铅的,
6mm (0.25in.)
从 包装
和 中心 的 消逝 联系
C
iss
输入 电容
–––
265
–––
V
GS
= 0v
C
oss
输出 电容
–––
80
–––
pF V
DS
= 25v
C
rss
反转 转移 电容
–––
38
––– ƒ
= 1.0mhz, 看 图. 5
电的 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
nH
I
GSS
S
D
G
L
S
内部的 源 电感
–––
7.5
–––
R
ds(在)
静态的 流-至-源 在-阻抗
L
D
内部的 流 电感
–––
4.5
–––
I
DSS
流-至-源 泄漏 电流
Ω
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