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图 8.
最大 safe 运行 范围
图 6.
典型 门 承担 vs.
门-至-源 电压
图 5.
典型 电容 vs.
流-至-源 电压
图 7.
典型 源-流 二极管
向前 电压
0.1
1
10
100
0.2 0.6 1.0 1.4 1.8
V ,源-to-Drain 电压 (v)
I , 反转 流 电流 (一个)
SD
SD
V=0V
GS
T=25C
J
°
T = 175 C
J
°
0.1
1
10
100
1000
1 10 100
运作 在 这个 范围 限制
用 R
ds(在)
单独的 脉冲波
T
T
= 175 C
=25 C
°
°
J
C
V , Drain-to-Source 电压 (v)
I , 流 电流 (一个)i , 流 电流 (一个)
DS
D
10us
100us
1ms
10ms
0 2 4 6 8 10
0
5
10
15
Q ,totalgatecharge(nc)
V , 门-至-源 电压 (v)
G
GS
为 测试 电路
看 图示
I =
D
13
6A
V = 27V
DS
V = 44V
DS
1 10 100
0
100
200
300
400
500
V , Drain-至-source Voltage (v)
c, 电容 (pf)
DS
V
C
C
C
=
=
=
=
0v,
C
C
C
f=1MHz
+C
+C
C 短接
GS
iss gs gd , ds
rss gd
oss ds gd
C
iss
C
oss
C
rss

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irlr/u014n 4 www.irf.com 图 8. 最大 safe 运行范围图 6. 典型门承担 vs. 门-至-源电压图 5. 典型电容 vs. 流-至-源电压图 7. 典型源-流二极管向前电压 0.1 1 10 100 0.2 0.6 1.0 1.4 1.8 V ,源-to-Drain 电压 (v) I , 反转流电流 (一个) SD SD V=0V GS T=25C J ° T = 175 C J ° 0.1 1 10 100 1000 1 10 100 运作在这个范围限制用 R ds(在) 单独的脉冲波 T T = 175 C =25 C ° ° J C V , Drain-to-Source 电压 (v) I , 流电流 (一个)i , 流电流 (一个) DS D 10us 100us 1ms 10ms 0 2 4 6 8 10 0 5 10 15 Q ,totalgatecharge(nc) V , 门-至-源电压 (v) G GS 为测试电路看图示 I = D 13 6A V = 27V DS V = 44V DS 1 10 100 0 100 200 300 400 500 V , Drain-至-source Voltage (v) c, 电容 (pf) DS V C C C = = = = 0v, C C C f=1MHz +C +C C 短接 GS iss gs gd , ds rss gd oss ds gd C iss C oss C rss

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