IRLL024N
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
pd - 91895
S
D
G
V
DSS
= 55v
R
ds(在)
= 0.065
Ω
I
D
= 3.1a
fifth 一代 hexfets 从 国际的 整流器
utilize 先进的 处理 技巧 至 达到
极其 低 在-阻抗 每 硅 范围. 这个 益处,
联合的 和 这 快 切换 速 和 加固
设备 设计 那 hexfet 电源 mosfets 是 好
知道 为, 提供 这 设计者 和 一个 极其 效率高的
和 可依靠的 设备 为 使用 在 一个 宽 多样性 的 产品.
这 sot-223 包装 是 设计 为 表面-挂载
使用 vapor 阶段, infra red, 或者 波 焊接 技巧.
它的 唯一的 包装 设计 准许 为 容易 自动 挑选-
和-放置 作 和 其它 sot 或者 soic 包装 但是 有
这 增加 有利因素 的 改进 热的 效能
预定的 至 一个 enlarged tab 为 heatsinking. 电源 消耗
的 1.0w 是 可能 在 一个 典型 表面 挂载 应用.
6/15/99
描述
表面 挂载
先进的 处理 技术
过激 低 在-阻抗
动态 dv/dt 比率
快 切换
全部地 avalanche 评估
sot-223
* 当 挂载 在 fr-4 板 使用 最小 推荐 footprint.
** 当 挂载 在 1 inch 正方形的 铜 板, 为 comparison 和 其它 smd 设备.
参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JA
接合面-至-amb. (pcb 挂载, 稳步的 状态)* 90 120
R
θ
JA
接合面-至-amb. (pcb 挂载, 稳步的 状态)** 50 60
热的 阻抗
°c/w
参数 最大值 单位
I
D
@ t
一个
= 25°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v** 4.4
I
D
@ t
一个
= 25°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v* 3.1
I
D
@ t
一个
= 70°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v* 2.5
I
DM
搏动 流 电流
12
P
D
@T
一个
= 25°c 电源 消耗 (pcb 挂载)** 2.1 W
P
D
@T
一个
= 25°c 电源 消耗 (pcb 挂载)* 1.0 W
直线的 减额 因素 (pcb 挂载)* 8.3
mw/°c
V
GS
门-至-源 电压 ± 16 V
E
作
单独的 脉冲波 avalanche 活力
120 mJ
I
AR
avalanche 电流
3.1 一个
E
AR
repetitive avalanche 活力
* 0.1 mJ
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt
5.0 v/ns
T
j,
T
STG
接合面 和 存储 温度 范围 -55 至 + 150 °C
绝对 最大 比率
一个
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